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  • 有机电子器件中介电结构的表面改性方法
    CN201380045838.6，有机电子器件中介电结构的表面改性方法，本发明涉及改变在有机电子(OE)器件、更具体地在有机场效应晶体管(OFET)中的介电结构(例如介电层或堤结构)的表面能的方法。
    时间：2023-03-14  热度：20℃
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