硅片技术规格（125×125mm）特性规格说明抽测比率生长方式CZ不得使用物理提纯法的硅料每根棒子抽测20片，其中若有一片不合格，加抽20片晶向<100>±1°型号/掺杂剂P/B氧含量≤1.0×1018/cm3碳含量≤5.0×1016/cm3电阻率乙氧酰胺苯甲酯1.0—3.0Ω•㎝单片电阻率不均匀性＜10％少子寿命≥1.3μs裸片数据几何尺寸外形准方中心厚度200±20μmTTV≤30

硅片技术规格（125×125mm）同时率特性规格说明抽测比率生长方式CZ不得使用物理提纯法的硅料每根棒子抽测20片，其中若有一片不合格，加抽20片晶向<100>±1°型号/掺杂剂P/B漆膜附着力测定法氧含量≤1.0×1018/cm3佐罗网碳含量≤5.0×1016/cm3电阻率1.0—3.0Ω•㎝单片电阻率不均匀性＜10％少子寿命≥1.3μ南京晨光东螺波纹管有限公司s裸片数据几何尺寸外形