(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114497003 A(43)申请公布日 2022.05.13(21)申请号 CN202210074447.8(22)申请日 2022.01.21(71)申请人 NANO科技(北京)有限公司    地址 100000 北京市海淀区永丰路9号院2号楼4层101(72)发明人 石彬 祁帆 蔡鹏飞 (

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114497003 A(43)申请公布日 2022.05.13(21)申请号 CN202210074447.8(22)申请日 2022.01.21(71)申请人 NANO科技(北京)有限公司    地址 100000 北京市海淀区永丰路9号院2号楼4层101(72)发明人 石彬 祁帆 蔡鹏飞 (

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• 第七章 光敏传感器• 1．光电效应通常分为哪几类？简要叙述之。与之对应的光电器件有哪些？• 2．半导体内光电效应与入射光频率的关系是什么？3．光电倍增管产生暗电流的原因有哪些？如何降低暗电流？• 4．试述光电倍增管的组成及工作原理？• 5．简述光敏二极管和光敏三极管的结构特点、工作原理及两管的区别？• 6．为什么在光照度增大到一定程度后，硅光电池的开路电压不再• 随入射照度的增大而增大？硅光电

光伏组件lid测试原理    光伏组件LID(testing)即Light Induced Degradation，是指太阳能电池在初始照射和加速照射之后，会出现严重的功率损失。这种现象的出现是由于太阳能电池中的氧、钠等掺杂物在光照下形成了复合态，进而导致流经它们的电荷的移动受到限制，以至于太阳能电池的发电效果下降。LID测试可以检测电池板在高温、高湿度环境下的变化情况，帮助开

第５１卷　第１期              　激光与红外Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．１　２０２１年１月              ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤＪａｎｕａｒｙ，２０２１  文章编号：风琴式导轨防护罩１００１ ５０７８（２０２１）０１ ００６

2021年2月Feb. 2021第50卷第2期Vol.50 No.2红外与激光工程Infrared  and  Laser  Engineering具有背景抑制功能的长波红外读出电路张武康叫陈洪雷I, 丁瑞军I(1.中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室，上海200083；2.中国科学院大学，北京100049)摘 要：为了提高红外焦平面检测目标的灵敏

文章编号:1672-8785(2021)01-0001-05p-i-n  In&InGaAs光电探测器的电流及电容特性研究夏少杰陈俊"(苏州大学电子信息学院，江苏苏州215006)摘要：为了实现高灵敏度探测，红外探测器需要得到优化&利用Silvaco 器件仿真工具研究了 p-i-n 型InP/Ino. 53Ga 0.47As/In 0. 53Ga °. 47A s 光电探

1引言光电二极管和普通的二极管相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件，但结构上有特殊之处，例如，光电二极管使用时要反向接入电路中[1]。当无光照时，电路中的反向饱和漏电流很小，称为暗电流，范围在1×10-8A 到1×10-9A 之间，此时相当于光电二极管截止；当有光照射时，PN 结受光子轰击，吸收光子能量的价电子被激发产生电子空穴对，相比多数载流子来说这些被激发的载流子影响并不大，但对P 、N

阿比丹 艾山用于阵列探测器的多阳极光电倍增管特性研究1）灵敏度和工作光谱区光电倍增管的灵敏度和工作光谱区主要取决于光电倍增管阴极和打拿极的光电发射材料。当入射到阴极表面的光子能量足以使电子脱离该表面时才发生电子的光电发射，即1/2mv2=h?・© ,（h?为光子能量，©为电子的表面功函数，1/2mv2为电子动能）。当h?v©时，不会有表面光电发射，而当h?=©时，才有可能发生光电发射，这时所对应的

用于阵列探测器的多阳极光电倍增管特性研究1光电倍增管的基本特性1) 灵敏度和工作光谱区www.3x6c光电倍增管的灵敏度和工作光谱区主要取决于光电倍增管阴极和打拿极的光电发射材料。当入射到阴极表面的光子能量足以使电子脱离该表面时才发生电子的光电发射，即1/2mv2=h?-ф,(h?为光子能量，ф为电子的表面功函数，1/2mv2为电子动能)。当h?<ф时，不会有表面光电发射，而当h?=