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  • 碳化硅晶体的定型定向的切割方法[发明专利]
    (10)申请公布号 CN 102514109 A(43)申请公布日 2012.06.27C N  102514109 A*CN102514109A*(21)申请号 201110453602.9(22)申请日 2011.12.30B28D 5/00(2006.01)(71)申请人上海硅酸盐研究所中试基地地址201800 上海市嘉定区城北路215号申请人中国科学院上海硅酸盐研究所(72)发明
    时间:2024-03-29  热度:7℃
  • 单晶硅生长炉用导流筒及其应用[发明专利]
    (10)申请公布号(43)申请公布日              (21)申请号 201510572960.X(22)申请日 2015.09.10C30B 15/00(2006.01)C30B 29/06(2006.01)(71)申请人上海超硅半导体有限201604 上海市松江区石湖荡镇养石路88号(72)发明人李秦霖&
    时间:2024-03-19  热度:9℃
  • 晶锭低少子寿命事故报告
    晶锭少子寿命偏低事故报告一、事故概述最近品管部在对brick进行少子寿命检测的过程中发现有四个晶锭的平均少子寿命偏低。它们的晶锭编号和平均少子寿命分别为:1003B08012M、1003B03017M、1003A08032M、1003A02032,2.73µs、2.89µs 、2.53µs、1.79µs,而正常晶锭的平均少子寿命在3.5-5µs之间,brick低少子寿命分布图如图1-1所示。图1-
    时间:2023-11-17  热度:22℃
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