(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201911332708.6(22)申请日 2019.12.22(71)申请人 湖北工业大学地址 430070 湖北省武汉市洪山区南李路28号(72)发明人 苏英　付健健　贺行洋　郑正旗　杨进　王迎斌　曾三海　王传辉　方娇林　秦义良　(74)专利代理机构 武汉华强专利代理事务所(普通合伙

凝固原理与铸造技术复习题答案1、画出纯金属浇入铸型后发生的传热模型示意图，并简要说明其凝固过程的传热特点。凝固过程的传热有如下一些特点：    简单地说：一热、二迁、三传。    首先它是一个有热源的传热过程。金属凝固时释放的潜热，可以看成是一个热源释放的热，但是金属的凝固潜热，不是在金属全域上同时释放，而只是在不断推进中的凝固前沿上释放。即热源位置在不断地

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201911332708.6(22)申请日 2019.12.22(71)申请人 湖北工业大学地址 430070 湖北省武汉市洪山区南李路28号(72)发明人 苏英　付健健　贺行洋　郑正旗　杨进　王迎斌　曾三海　王传辉　方娇林　秦义良　(74)专利代理机构 武汉华强专利代理事务所(普通合伙

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 113213803 A(43)申请公布日 2021.08.06(21)申请号 CN202110570286.7(22)申请日 2021.05.25(71)申请人 济南大学    地址 250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号(72)发明人 叶正茂 牛腾 卢晓磊 吴佳明 孙晓杰 (74)

专利名称：一种纳米水泥基晶核型早强剂及其制备方法和应用专利类型：发明专利发明人：谭洪波，张迅，邓秀峰，李懋高，聂康峻，贺行洋，苏英申请号：CN201910290271.8申请日：20190411公开号：CN110304857A公开日：20191008专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明提供了一种纳米水泥基晶核型早强剂及其制备方法和应用，按重量份计，该纳米水泥基晶核型早强剂主要由以下组分通过湿磨

专利名称：含纳米级晶核抗性淀粉的制备以及对人体肠道微生物调控专利类型：发明专利发明人：周忠凯，张岩，陈晓姗，杨艳，郑排云申请号：CN201210388297.4申请日：20121015公开号：CN103725729A公开日：20140416专利内容由知识产权出版社提供摘要：新型含纳米级晶核结构的抗性淀粉益生元的制备及其对人体肠道微生物调控领域。将淀粉样品热溶解，利用多种酶进行分子修饰；在135℃下

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010298665.0(22)申请日 2020.04.16(71)申请人 哈尔滨工程大学地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室(72)发明人 刘禄　周子文　刘宇　孙显昊　张建中　(51)Int.Cl.C09K  11/

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010298665.0(22)申请日 2020.04.16(71)申请人 哈尔滨工程大学地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室(72)发明人 刘禄　周子文　刘宇　孙显昊　张建中　(51)Int.Cl.C09K  11/

PET等温结晶速率与其影响因素聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）作为结晶型高聚物广泛应用于合成纤维，绝缘材料等领域，但作为工程材料却应用非常有限，这主要是因为PET结晶速率较慢，成型周期过长所致。PE的最大球晶生长速率为5000 ，而PET仅为10 ，加上其结晶温度高，因而经济性很差。为此国内外学者深入研究了PET的结晶机理和影响PET结晶的因素以提高PET结晶速率。本文简要讨论了PET的结晶机理和温

1.克服粗化效应      金属磷化表面调整可克服强酸强碱处理后的粗化效应。一般来说，强碱性溶液通常具有使磷化膜晶体变粗的效应。金属工件采用强碱除油后，由于一些碱的水洗性差，如氢氧化钠、硅酸钠等，常使金属表面部分活性晶核覆盖上一层氢氧化物或氧化物薄膜，导致金属表面的晶核数量和反应的自由能降低，因而使得磷化膜粗糙、多孔，成膜也不完全。所以，金属工件经强碱性除油剂除油后，

单片机的基本原理与晶核原理实验一、单片机的基本原理1. 什么是单片机单片机是一种微型计算机，集成了中央处理器（CPU）、内存、输入/输出接口和外设等功能于一芯片上。它通常使用微控制器来实现。2. 单片机的结构单片机的结构可以分为三个主要部分：中央处理器（CPU）、存储器和外设。•中央处理器（CPU）：是单片机的核心，负责执行指令、进行数据处理和控制操作。CPU通常包括运算器（ALU）、控制器（CU

芯⽚制造全过程-晶⽚制作（图⽰）芯⽚制作完整过程⼤致包括：芯⽚设计、晶⽚制作、封装制作、成本测试等⼏个⼤环节，其中晶⽚制作过程尤为的复杂。下⾯图⽰让我们共同来了解⼀下晶⽚制作的过程。1 从沙⼦到硅⽚前⼀篇⽂章《》中提到过以下步骤。从多晶硅到硅⽚的12个⼤⼯艺流程保安接线排1）多晶硅多晶硅，是单质硅的⼀种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原⼦以⾦刚⽯晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶⾯取

芯⽚制造全过程-晶⽚制作（图⽰）蕲蛇酶注射液芯⽚制作完整过程⼤致包括：芯⽚设计、晶⽚制作、封装制作、成本测试等⼏个⼤环节，其中晶⽚制作过程尤为的复杂。下⾯图⽰让我们共同来了解⼀下晶⽚制作的过程。1 从沙⼦到硅⽚前⼀篇⽂章《》中提到过以下步骤。从多晶硅到硅⽚的12个⼤⼯艺流程1）多晶硅多晶硅，是单质硅的⼀种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原⼦以⾦刚⽯晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶⾯

文章编号：1001-3849（2010）10-0001-04石墨基体上电沉积铜成核机理的研究赵夕1，徐强1，丁飞2，刘兴江2（1．天津大学化工学院，天津300072；2．中国电子科技集团公司第18研究所，天津300381）摘要：通过循环伏安法和恒电位阶跃暂态法，研究硫酸铜-硫酸溶液中铜在石墨基体上的电沉积行为，并利用扫描电子显微镜观察石墨基体表面金属铜沉积颗粒的形态和分布。结果表明：在较正的电位区

石墨基体上电沉积铜成核机理的研究赵夕;徐强;丁飞;刘兴江【摘 要】通过循环伏安法和恒电位阶跃暂态法,研究硫酸铜-硫酸溶液中铜在石墨基体上的电沉积行为,并利用扫描电子显微镜观察石墨基体表面金属铜沉积颗粒的形态和分布.结果表明:在较正的电位区间内,铜的沉积遵从连续成核机理;而在较负的电位区间内,铜的沉积遵从瞬时成核机理.【期刊名称】《电镀与精饰》【年(卷),期】2010(032)010【总页数】4页(