专利名称：一种半导体芯片晶圆片号校验方法专利类型：发明专利发明人：邵嘉阳，祁建华，牛勇，王锦，郝丹丹，叶建明申请号：CN201610969557.5申请日：20161028公开号：CN106526444A公开日：20170322专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明提出一种半导体芯片晶圆片号校验方法，包括：探针台发送晶圆校验开始信号给工作站；探针台根据请求向工作站发送原始晶圆片号、原始晶圆批号和

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专利名称：一种用于天车的旋转机构专利类型：发明专利发明人：赵宁，詹翡纱申请号：CN202210011015.2申请日：20220106公开号：CN114368688A公开日：20220419专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种用于天车的旋转机构，包括承载座，所述包括承载座下端面可拆卸连接托架，所述托架下端面左侧设有驱动电机，所述驱动电机的输出轴连接减速机，所述减速机末端的蜗杆连接传动

专利名称：一种用于天车的旋转机构专利类型：发明专利发明人：赵宁，詹翡纱申请号：CN202210011015.2申请日：20220106公开号：CN114368688A公开日：20220419专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种用于天车的旋转机构，包括承载座，所述包括承载座下端面可拆卸连接托架，所述托架下端面左侧设有驱动电机，所述驱动电机的输出轴连接减速机，所述减速机末端的蜗杆连接传动

专利名称：一种临时键合和解键合方法、载片结构及应用专利类型：发明专利发明人：欧欣，李忠旭，黄凯，赵晓蒙，李文琴，鄢有泉，陈阳申请号：CN202010604763.2申请日：20200629公开号：CN111834279A公开日：20201027专利内容由知识产权出版社提供摘要：本申请提供一种临时键合方法，包括：提供临时载片，临时载片采用热释电材料制得；将绝缘层的第一表面覆于临时载片上；对绝缘层的第

专利名称：一种临时键合和解键合方法、载片结构及应用专利类型：发明专利发明人：欧欣，李忠旭，黄凯，赵晓蒙，李文琴，鄢有泉，陈阳申请号：CN202010604763.2申请日：20200629公开号：CN111834279A公开日：20201027专利内容由知识产权出版社提供摘要：本申请提供一种临时键合方法，包括：提供临时载片，临时载片采用热释电材料制得；将绝缘层的第一表面覆于临时载片上；对绝缘层的第

专利名称：晶圆片剥离装置专利类型：发明专利发明人：邵树宝，王福亮，储冬华，陈利锋，赵芹，何婷婷，陈素荣申请号：CN202010331526.3申请日：20200424公开号：CN111403322A公开日：20200710专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明揭示了一种晶圆片剥离装置，与外部设备框架固定连接，包括整体可活动地设置于外部设备框架上、用于完成晶圆片剥离操作的剥离执行机构以及整体固定连

LED芯片的生产工艺流程外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。/4MOCVD介绍：!气泡云金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD）， 1968年

LED芯片的生产工艺流程同温同压下外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。/4兔毛纱线MOCVD介绍：!金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD），

透水混凝土施工工艺3.集成电路芯片制造的基本工艺流程    集成电路芯片制造的基本工艺流程是指利用晶圆片上的基本元件以及其他支撑芯片功能的，生产出器件所经历的全部工艺流程。包括原材料准备、晶圆制备、印制电路布线、封装封装、测试测试等。彩硒鼓>石墨密封圈    1. 原材料准备：原材料准备包括晶圆片、各种化学品（如清洗液、蚀刻剂、衬底材料和疏水剂）以及各种器

3.集成电路芯片制造的基本工艺流程管道渗漏检测打点计时器    集成电路芯片制造的基本工艺流程是指利用晶圆片上的基本元件以及其他支撑芯片功能的，生产出器件所经历的全部工艺流程。包括原材料准备、晶圆制备、印制电路布线、封装封装、测试测试等。    1. 原材料准备：原材料准备包括晶圆片、各种化学品（如清洗液、蚀刻剂、衬底材料和疏水剂）以及各种器件（比如电极、网

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