CN202110706370.7，晶体管结构及其相关制造方法，本发明公开了一种晶体管结构及其相关制造方法。所述晶体管结构包含一半导体基底、一栅极结构、一信道区、一第一导电区以及一第一隔离区。所述半导体基底具有一半导体表面。所述栅极结构具有一长度。所述第一导电区电耦接所述通道区。所述第一隔离区位于所述第一导电区旁边。所述第一导电区的长度是通过一单一光刻工艺所控制，且所述单一光刻工艺原本是用以定义所述栅极结构的长度。因此，相较于现有技术，本发明可准确控制所述晶体管结构的源极/漏极和接触开口的长度以有效缩小所述