室分模拟试题库一、单选题： 1. 根据自由空间的传播损耗模型，当距离增加一倍时，传播损耗增大（  　）。A.3 DB            B.4 DB          C.5 DB            D.6

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ZnO薄膜的p型掺杂[摘要] 氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带化合物半导体材料。氧化锌为本征n型半导体,存在诸多本征施主缺陷(如氧空位Vo和间隙Zni等),对受主掺杂产生高度自补偿作用,加之受主杂质有限的固溶度或较深的受主能级,使得ZnO薄膜的p型掺杂非常困难。目前，关于ZnO薄膜的p型掺杂理论上已有所研究，但尚未形成共识；实验上，已有ZnO薄膜的p型掺杂成功地报道，但重复性不好。本文旨在在对Z

ZnO薄膜的p型掺杂[摘要] 氧化锌是一种ⅱ-ⅵ族直接带隙宽禁带化合物半导体材料。氧化锌为本征n型半导体,存在诸多本征施主缺陷(如氧空位vo和间隙zni等),对受主掺杂产生高度自补偿作用氧空位,加之受主杂质有限的固溶度或较深的受主能级,使得zno薄膜的p型掺杂非常困难。目前，关于zno薄膜的p型掺杂理论上已有所研究，但尚未形成共识；实验上，已有zno薄膜的p型掺杂成功地报道，但重复性不好。本文旨在

类氢杂质和类氢模型半导体施主、受主杂质能级的计算这是在计算半导体中浅能级杂质(Shallowlevelimpurity)的电离能时所经常采用的一种模型，即把束缚着价电子的杂质原子看成为一个类氢原子。(1)基本概念和能级计算:浅能级杂质就是指在半导体中、其价电子受到束缚较弱的那些杂质原子，往往就是能够提供载流子--电子或空穴的施主、受主杂质；它们在半导体中形成的能级都比较靠近价带顶或导带底，因此称其

导航系统氮化镓纳米粒子的制备及光致发光研究沈龙海;富松;石广立【摘 要】计算机仿真采用直接氮化法制备出尺寸不同的GaN纳米粒子,分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱测试手段对所制样品进行表征和发光特性的研究.结果表明:所制备的两种GaN纳米粒子直径分别为100 nm和300 nm左右.在GaN纳米粒子的PL谱中,中心在357 nm的发射源于本征发光,中心在3

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X4捞彼基本所积湖依题答拿（仅供参考,提倡发挥,欢迎讨论）1、    电磁波在传播途径中遇到障碍物会产生:（1）    电磁波受到衰减（2）    电磁波要反射两着的最终效果使信号衰减。砖墙信号要衰减10dB以上,若是钢筋水泥墙信号衰减更大,要大 于 15dB。2、    降膜吸收塔馈线的主要功能是有效传输电磁信号。馈

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N型和P型半导体半导体分类P型半导体N型半导体无杂质半导体含杂质半导体种类氮化物半导体氧化物半导体非晶半导体电界型半导体磁性半导体半导体器件集成电路微处理器内存蒸汽消音器晶体管-晶体管逻辑电路互补式金属氧化物半导体固体物理学能带结构能带计算第一原理计算导带价带能隙费米能不纯物准位电子空穴施主受主物性物理学晶体管双极性晶体管场效应管MOSFET闸流体薄膜晶体管关连pe导电母粒二极管超滤膜清洗太阳能电

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世界上最纯的物质：硅硅，是人类在世界上提得最纯的物质，目前人类能够得到的最纯的硅，纯度是99.99999999999999%，估计读者们数不过来，告诉您吧，是16个9。但是，纯硅虽然也有半导体的性质，却是一种没有什么实际用处的半导体。真正要制作能够使用的半导体器件，包括太阳能电池，就要在其中添加一些杂质，常见的是磷和硼。也有镓、砷、铝和其它一些元素。杂质的作用，总体上来说，是调节硅原子的能级，学过