首页 > TAG信息列表 > 方阻
  • 方阻测试测试原理及方法
    方阻的测试原理方块电阻如何测试呢,可不可以用万用表电阻档直接测试图一所示的材料呢?不可以的,因万用表的表笔只能测试点到点之间的电阻,而这个点到点之间的电阻不表示任何意义。如要测试方阻,首先我们需要在A边和B边各压上一个电阻比导电膜电阻小得多的圆铜棒,如图一所示,而且这个圆铜棒光洁度要高,以便和导电膜接触良好。这样我们就可以通过用万用表测试两铜棒之间的电阻来测出导电薄膜材料的方阻。图一如果方阻值比较
    时间:2023-09-03  热度:16℃
  • 方块电阻 四探针)
    方块电阻Technology   2009-08-12 22:53   阅读15   评论0   字号: 大大  中中  小小 ohms per square,薄层电阻又称方块电阻,其定义为正方形的半导体薄层,在电流方向所呈现的电阻,单位为欧姆每方。简单来说,方块电阻(Sheet Resistance)就是指导电材料单
    时间:2023-12-20  热度:8℃
  • 电池系列之方块电阻
    电池系列之方块电阻摘要:本篇是丫丫自“半导体基础知识”篇之后,再次回归基础知识的学习记录。蒸发铝膜、导电漆膜、印制电路板铝箔膜等薄膜状导电材料,衡量它们厚度的最好方法就是测试它们的方阻。本篇学习记录主要涉及方阻的概念、意义、测量方法等。 一、基本概念 方阻就是方块电阻,又称面电阻,指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电阻,如图一所示,即B边到C边的电阻值。方块电阻有一个特
    时间:2023-10-26  热度:15℃
  • 低方阻透明导电薄膜[实用新型专利]
    涂塑钢管连接黄秋葵软胶囊专利名称:低方阻透明导电薄膜专利类型:实用新型专利发明人:徐厚嘉,林晓辉,平财明,张永杰申请号:CN201420853417.8油管锚卷钉申请日:20141224公开号:CN204332412U公开日:垃圾处理厂工艺流程20150513专利内容由知识产权出版社提供骨刺消痛膏摘要:本实用新型提供一种低方阻透明导电薄膜,其中,所述低方阻导电薄膜至少包括:透明基材;位于所述透明基
    时间:2023-10-21  热度:13℃
  • 太阳能电池电池系列之方块电阻
    丫丫学电池系列之方块电阻摘要:本篇是丫丫自“半导体基础知识”篇之后,再次回归基础知识的学习记录。蒸发铝膜、导电漆膜、印制电路板铝箔膜等薄膜状导电材料,衡量它们厚度的最好方法就是测试它们的方阻。本篇学习记录主要涉及方阻的概念、意义、测量方法等。 一、基本概念 方阻就是方块电阻,又称面电阻,指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电阻,如图一所示,即B边到C边的电阻值。方块电阻有
    时间:2023-08-25  热度:10℃
  • 不同形貌纳米颗粒银粉的引入搭配对导电银浆电性能的影响
    当代化工研究Modem Chemical Research34基础研究2021・12不同形貌纳米颗粒银粉的弓I入搭酉己对导电银浆捕虾机电路图电性能的影响*吕明仁赵瑞欢2(1.陕西彩虹新材料有限公司陕西7120002.扬州虹运电子材料有限公司江苏225800)真空吸砂机摘耍:本文在粉末颗粒最紧密堆积理论Dinger-Funk方程的基础上,研究纳米银粉颗粒引入到片状银粉和球形银粉中的不同比例的搭配,讨
    时间:2023-08-20  热度:11℃
  • 水热法合成铜纳米线的制备及其性能研究
    水热法合成铜纳米线的制备及其性能研究乙酸乙酯实验装置赵磊;马云云;周玲;郭中华;张正荣【摘 要】利用水热还原法以二水合氯化铜为铜源,葡萄糖为还原剂,十六烷基胺为封端剂合成了直径约为25 nm的面心立方结构的铜纳米线.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对合成产物的晶体结构、形貌、元素进行了表征.最后,将铜纳米线喷涂在玻璃表面,形成铜导电薄膜,并对喷涂体积与薄膜透光率
    时间:2023-08-05  热度:8℃
  • 四点探针测试仪在导电膜方阻测量的应用
    四点探针测试仪在导电膜方阻测量的应用四点探针法测试测量的表面电阻,也叫方阻,导电膜是具有导电拼接地图功能的薄膜。导电薄膜的荷电载流子在输运过程中受到表面和界面的散射,当薄膜的厚度可与电子的自由程相比拟时,在表面和界面铝塑型材的影响将变得显著,这个现象称为薄膜的尺寸效应。它等效于载流子的自由程减小,因此与同样材料的块体相比,薄膜的电导率较小。目前一般都是采用四探针测试仪来测试仪导电膜,方阻的大小,关
    时间:2023-08-05  热度:12℃
  • 丝网印刷和烧结工艺对陶瓷基复合材料微带天线膜层结构与性能的影响
    表面技术第51卷第3期丝网印刷和烧结工艺对陶瓷基复合材料微带天线膜层结构与性能的影响崔凤单1,慈吉良1,吴春博2,杨静1,高文博1,张剑1,吕毅1,张昊1(1.航天特种材料及工艺技术研究所,北京 100074;保温包2.北京机电工程研究所,北京 100074)摘要:目的研究丝网印刷工艺参数(印刷压力、离网间距和印刷速度)和烧结制度(烧结温度和保温时间)对陶瓷基复合材料微带天线基板表面丝网印刷银膜层
    时间:2023-06-10  热度:25℃
  • 水热法合成铜纳米线的制备及其性能研究
    电影2012世界末日国语版水热法合成铜纳米线的制备及其性能研究赵磊;马云云;周玲;郭中华;张正荣【摘 要】合肥市小学学业评价利用水热还原法以二水合氯化铜为铜源,葡萄糖为还原剂,十六烷基胺为封端剂合成了直径约为25 nm的面心立方结构的铜纳米线.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对合成产物的晶体结构、形貌、元素进行了表征.最后,将铜纳米线喷涂在玻璃表面,形成铜导电薄
    时间:2023-06-21  热度:12℃
  • 银粉形貌及粒径对银浆性能的影响
    银粉形貌及粒径对银浆性能的影响滕媛;甘国友;李文琳;杜景红;严继康;易建宏【摘 要】将银粉、有机载体和玻璃粉按一定比例混合制成导电银浆。银浆通过丝网印刷在硅基片上,保温烧结。采用SEM、四探针法研究银粉的不同粒径与形貌对银浆烧结厚膜层方阻的影响。结果表明,随着球形银粉粒径增大,银膜方阻先减小后增大,当球形银粉粒径在2µm时银膜方阻最小,为4.44Ω/□;当2µm片状银粉和2µm球形银粉混合加入时,
    时间:2023-05-06  热度:46℃
Copyright ©2019-2024 Comsenz Inc.Powered by © 易纺专利技术学习网 豫ICP备2022007602号 豫公网安备41160202000603 站长QQ:729038198 关于我们 投诉建议