(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910428626.5(22)申请日 2019.05.22(71)申请人 有研半导体材料有限 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧(72)发明人 刘云霞　史训达　林霖　周莹莹　刘卓　王玥　王磊　蔡丽艳　陈海滨　陈克强　杨少昆　程凤伶　(74)专利代理机构 北京

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910428626.5(22)申请日 2019.05.22(71)申请人 有研半导体材料有限 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧(72)发明人 刘云霞　史训达　林霖　周莹莹　刘卓　王玥　王磊　蔡丽艳　陈海滨　陈克强　杨少昆　程凤伶　(74)专利代理机构 北京

硅抛光片研究报告硅抛光片研究报告网易日记硅抛光片是一种用于半导体制造的重要材料，其表面质量对芯片性能有着重要影响。本报告对硅抛光片的制备、表面质量控制和应用进行了研究和总结。一、硅抛光片制备硅抛光片的制备主要包括硅晶圆切割、平整化和抛光三个步骤。硅晶圆切割是将硅晶圆切割成所需尺寸的片状材料，平整化是将硅抛光片表面进行平整处理，抛光是将硅抛光片表面进行抛光处理，使其表面光洁度达到要求。硅抛光片的制备

碳化硅单晶抛光片位错密度检测方法1范围本文件适用于检测面法线方向与C轴方向夹角范围为0°~8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的检测。碳化硅石墨坩埚2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T14264半导体材料术语GB/T30656-20

1 产品用途及应用范围FZSi50P3-P03型硅单晶抛光片主要用于研制高灵敏度的军用光电探测器件，是探测器芯片的衬底材料。。2 标准2.1 总规范及编号目前该类产品没有相关的总规范。2.2 详细规范及编号产品详细规范为Q/UK20204-2013《FZSi50P3-P03型硅单晶抛光片详细规范》确认号：CESI/6134NP130186。2.3 检测试验机构及检测试验报告编号超声波打磨机检测机构

KU波可调电衰减器抛光片用途抗干扰滤波器    抛光片是一种用于去除金属表面不平整、氧化物和其他污渍的工具。它们通常由不同的材料制成，包括氧化铝、硅碳化物和钨酸盐。这些材料的选择取决于要抛光的金属类型和表面粗糙度。    在金属行业中，抛光片常用于制造精密零件和模具。它们可以去除金属表面的毛刺和瑕疵，使其更加光滑和均匀。此外，抛光片还可以用于研磨和抛光钢、铝

（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请硅铁合金局部镀锡（10）申请公布号 CN101899207A（43）申请公布日 2010.12.01led间隔柱（21）申请号 CN201010205843.7（22）申请日 2010.06.12（71）申请人 张海龙    地址 455000 河南省安阳市殷都区福安街二巷37号（72）发明人 张海龙（74）专利代理机构

(10)申请公布号 CN 101899207 A(43)申请公布日 2010.12.01C N  101899207 A*CN101899207A*(21)申请号 201010205843.7(22)申请日 2010.06.12C08L 75/08(2006.01)C08K 3/22(2006.01)C08G 18/48(2006.01)C08G 18/10(2006.01)C08G 1

（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（10）申请公布号 CN101899207A（43）申请公布日 2010.12.01枸杞果糕（21）申请号 CN201010205843.7（22）申请日 2010.06.12（71）申请人 张海龙卧式钻床    地址 455000 河南省安阳市殷都区福安街二巷37号（72）发明人 张海龙（74）专利代理机构 安阳市智浩专

(10)申请公布号 CN 101899207 A(43)申请公布日 2010.12.01C N  101899207 A*CN101899207A*(21)申请号 201010205843.7(22)申请日 2010.06.12C08L 75/08(2006.01)C08K 3/22(2006.01)C08G 18/48(2006.01)C08G 18/10(2006.01)C08G 1

国家标准《碳化硅单晶抛光片》编制说明（送审稿）一、工作简况1.立项目的和意义随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步，碳化硅单晶抛光片产量在快速增长。碳化硅（SiC）作为发展最为成熟的第三代半导体，是半导体界公认的“一种未来的材料”，是发展第三代半导体产业的关键基础材料。预计在今后5～10年将会快速发展和有显著成果出现。碳化硅具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射性能的优点，可以突破