[19]中华人民共和国国家知识产权局[12]发明专利申请公布说明书[11]公开号CN 101075090A [43]公开日2007年11月21日[21]申请号200610082639.4[22]申请日2006.05.19[21]申请号200610082639.4[71]申请人旭化成电子材料元件株式会社地址日本东京都[72]发明人有久慎司 冈田祐二 [74]专利代理机构北京市中咨律师事务所代理人段承

专利名称：化学放大型正性抗蚀剂组合物专利类型：发明专利发明人：釜渊明，山口训史申请号：CN200910140907.7申请日：20090512公开号：CN101581882A公开日：20091118专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明提供一种化学放大型正性抗蚀剂组合物，所述化学放大型正性抗蚀剂组合物包含树脂和酸生成剂，所述树脂包含侧链具有酸－不稳定基团的结构单元以及由式(I)表示的结构单元，在

专利名称：用超临界二氧化碳工艺从半导体上去除光致抗蚀剂和光致抗蚀残留物专利类型：发明专利发明人：W·H·穆利申请号：CN00819817.9申请日：20000814公开号：CN1454392A公开日：20031105专利内容由知识产权出版社提供摘要：公开了从半导体基底上去除光致抗蚀剂或者光致抗蚀残留物的一种方法。将表面上有光致抗蚀剂或者光致抗蚀残留物的半导体基底放到压力室内。然后给压力室加压。将超

感光干膜的技术要求印制电路制造者都希望选用性能良好的，以保证印制板质量，稳定生产，提高效益。生产干膜的厂家也需要有一个标准来衡量产品质量。为此在电子部、化工部的支持下，1983年在大连召开了光致抗蚀干膜技术协调会议，制定了国产水溶性光致抗蚀干膜的总技术要求。近年来随着电子工业的迅速发展，印制板的精度密度不断提高，为满足印制板生产的需要，不断推出新的干膜产品系列，性能和质量有了很大的改进和提高，但至

衡茶吉铁路A D C1  2中国铝合金标准GB/T?15115-94太阳方位角T5 固溶处理（淬火）加不完全人工时效用来得到较高的强度和塑性，但抗蚀性会有所下降，非凡是晶间腐蚀会有所增加。时效温度低，保温时间短，时效温度约150-170℃，保温时间为3-5h。广货网上行商城F: 挤压状态。指材料经由挤压成型未经任何冷作加工或热处理的状态；缩水甘油jasperreportASTM B 8

§2光刻工艺过程在平面管和集成电路生产中，都要经过多次光刻。虽然各次光刻的目的要求和工艺条件有所差别，但其工艺过程是基本相同的。光刻工艺一般都要经过涂胶，前烘，暴光，显影，坚膜，腐蚀和去胶等七个步骤蛭石板1．涂胶涂胶就是在SIO2或其他薄膜表面，涂布一层粘附良好，厚度适当，厚薄均匀的光刻胶膜。涂胶前的硅片表面必须清洁干燥，如果硅片搁置较久或光刻返工，则应重新进行清洗并烘干后再涂胶。生产中，最好在氧