专利名称：一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚专利类型：发明专利发明人：蒲红斌，李小红，刘兵，封先锋申请号：CN201810159428.9申请日：20180226公开号：CN108374197A公开日：20180807专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚，包括石墨盖和石墨底槽，石墨盖和石墨底槽之间还设置有石墨环，石墨盖位于石墨环的上部封口处，石墨盖下