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图像加热装置和成像设备的制作方法
1.本发明涉及一种图像加热装置,例如,安装在使用电子照相方法或静电记录方法的成像设备(例如复印机、打印机等)中的定影装置,或者通过再加热记录材料上的已定影调色剂图像来提高调色剂图像的光泽度的光泽赋予装
时间:2023-03-31 热度:62℃
具有低成本设计的用于储存和/或运输核燃料组件的储存装置的制作方法
1.本发明涉及核燃料组件、优选地燃料已经被辐射的乏燃料组件的运输和/或储存领域。背景技术:2.这种装置(也称为储存“篮”或“架”)包括多个相邻的壳体,每个壳体能够接纳核燃料组件。3.要被容纳在包装体的
时间:2023-03-26 热度:144℃
III族氮化物系外延生长用基板及其制造方法与流程
iii族氮化物系外延生长用基板及其制造方法技术领域1.本发明涉及一种用于在氮化铝(aln)、氮化铝镓(alxga1-xn(其中,0.《x《1.0)、氮化镓(gan)等iii族氮化物单晶的外延生长中使用
时间:2023-03-26 热度:51℃
一种检测和消除噪声的方法、装置、编码方法、介质及设备与流程
1.本技术涉及蓝牙技术领域,特别涉及一种检测和消除噪声的方法、装置、编码方法、介质及设备。背景技术:2.hiss噪声是一种全频带的平稳加性噪声,听起来‘咝咝’的声音,如一些老唱片使用数字化存储时,其过
时间:2023-03-13 热度:42℃
一种高BGA平坦度PCB板及其制作方法与流程
一种高bga平坦度pcb板及其制作方法技术领域1.本发明涉及一种高bga平坦度pcb板及其制作方法,属于pcb板制作技术领域。背景技术:2.随着高速通信行业的技术运用及推广,通信产品的设计及产品布线的
时间:2023-03-05 热度:45℃
显示模组、显示模组的制作方法以及拼接模组与流程
1.本技术涉及显示领域,具体涉及一种显示模组、显示模组的制作方法以及拼接模组。背景技术:2.随着显示技术的发展,各大厂商纷纷推出更大尺寸的显示器,由于受到生产工艺的限制,显示器的尺寸无法做到更大时,拼
时间:2023-03-03 热度:28℃
用于高压缩比发动机的缸盖及气缸组件的制作方法
1.本实用新型的至少一种实施例涉及内燃机技术领域,尤其涉及一种用于高压缩比发动机的缸盖及气缸组件。背景技术:2.随着绿色发展理念及双碳战略的不断推进,对发动机的热效率要求不断提高。3.现有技术中,为了
时间:2023-03-03 热度:38℃
一种微系统薄膜平坦化方法与流程
1.本发明涉及微系统技术领域,尤其涉及一种微系统薄膜平坦化方法。背景技术:2.电容式麦克风一般通过声波作用于电容的薄膜,由于薄膜的振动导致上下极板之间的间距的改变,从而改变电容的大小,进而获得对应的检
时间:2023-03-03 热度:30℃
光学构件的制作方法
1.本公开涉及一种光学构件,其将从入射表面入射的光的一部分在内部反射并且将入射光和反射光从与入射表面不同的表面发射到外部。背景技术:2.jp 6372305 b公开了一种具有光导和半透射镜的光学构件。
时间:2023-02-24 热度:37℃
一种半导体器件制作方法、设备、半导体曝光方法及系统与流程
1.本技术涉及集成电路制造技术领域,特别是涉及一种半导体器件制作方法、设备、半导体曝光方法及系统。背景技术:2.光刻是指在硅片表面匀胶,然后将掩模板上的图形转移光刻胶上的过程,将器件或电路结构临时“复
时间:2023-02-24 热度:37℃
显示背板组件、LED显示模组及装置、以及相关方法与流程
显示背板组件、led显示模组及装置、以及相关方法技术领域1.本技术涉及显示领域,尤其涉及一种显示背板组件、led显示模组及装置、以及相关方法。背景技术:2.目前,微型发光二极管(micro light
时间:2022-12-21 热度:47℃
一种微系统薄膜平坦化方法与流程
1.本发明涉及微系统技术领域,尤其涉及一种微系统薄膜平坦化方法。背景技术:2.电容式麦克风一般通过声波作用于电容的薄膜,由于薄膜的振动导致上下极板之间的间距的改变,从而改变电容的大小,进而获得对应的检
时间:2022-12-18 热度:46℃
一种微系统薄膜平坦化方法与流程
1.本发明涉及微系统技术领域,尤其涉及一种微系统薄膜平坦化方法。背景技术:2.电容式麦克风一般通过声波作用于电容的薄膜,由于薄膜的振动导致上下极板之间的间距的改变,从而改变电容的大小,进而获得对应的检
时间:2022-12-18 热度:85℃
玻璃构件的制作方法
1.本发明涉及一种玻璃构件。背景技术:2.作为智能手机等的框体的一部分,有时使用以玻璃为原材料的玻璃构件(例如,参照专利文献1~3等)。玻璃构件具有高级感,设计上优异。3.现有技术文献4.专利文献5.
时间:2022-12-14 热度:63℃
显示面板及其制备方法与流程
1.本技术涉及显示技术领域,尤其是涉及一种显示面板及其制备方法。背景技术:2.低温多晶氧化物(ltpo,low temperature poly-oxide)薄膜晶体管由于具有低温多晶硅(ltps,l
时间:2022-12-04 热度:71℃
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