2019年08月基于ALOHA 的面板企业干法刻蚀工艺特气泄漏事故模拟研究储咪咪（上海天马微电子有限公司，上海201201）儿童虚拟社区摘要：面板企业在制程过程中使用的特种气体泄漏后极有可能发生火灾、爆炸、中毒等严重事故，尤其是洁净厂房环境复杂，易发生二次灾害，为应急处置和救援带来很大困难。文章以国内某面板企业干法刻蚀工艺为例，采用ALOHA 软件对其特气管道可能的泄漏事故后果进行模拟分析，定量得

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201811026563.2(22)申请日 2018.09.04(71)申请人 上海华力微电子有限 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号(72)发明人 聂钰节　昂开渠　江旻　唐在峰　(74)专利代理机构 上海申新律师事务所 31272代理人 俞涤炯(51)In

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201811026563.2(22)申请日 2018.09.04(71)申请人 上海华力微电子有限 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号(72)发明人 聂钰节　昂开渠　江旻　唐在峰　(74)专利代理机构 上海申新律师事务所 31272代理人 俞涤炯(51)In

[19]中华人民共和国国家知识产权局分集接收[12]发明专利申请公开说明书[11]公开号CN 1490850A[43]公开日2004年4月21日[21]申请号03157390.8[21]申请号03157390.8[22]申请日2003.09.19[71]申请人清华大学地址100084北京市100084－82信箱[72]发明人罗毅 韩彦军 薛松 胡卉 郭文平 邵嘉平 孙长征 郝智彪 [51]Int.

氮化硅的刻蚀及其它应用氮化硅（silicon nitride）薄膜是无定形的绝缘材料，具有以下特性：（1）对扩散来说，它具有非常强的掩蔽能力，尤其是钠和水汽在氮化硅中的扩散速度非常慢；（2）通过PECVD可以制备出具有较低压应力的氮化硅薄膜；（3）可以对底层金属实现保形覆盖；三维激光扫描系统（4）薄膜中的针孔很少。作为选择氧化的掩蔽层时，可以把氮化硅直接淀积到硅衬底的表面上，有时考虑到氮化硅与硅直

第二章干法刻蚀的介绍2. 1刻蚀、干法刻蚀和湿法腐蚀2. 1 .1关于刻蚀tilera    刻蚀，是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目的，是在涂胶(或有掩膜)的硅片上正确的复制出掩膜图形[1]。    刻蚀，通常是在光刻工艺之后进行。我们通常通过刻蚀，在光刻工艺之后，将想要的图形留在硅片上。从这一角度而言，刻蚀可以被称

干法刻蚀技术的应用与发展    摘ca3780  要在半导体生产中，干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。而干法刻蚀是一个惯称，它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法.经过二十多年的发展,经历了多样化的发展过程,使技术不断完善和创新。一定程度上，干法刻蚀的水平决定了集成电路器件性能和生产规模.突变体本课程设计主要讨论半导体制造工艺中非常重要的步骤--—刻

专利名称：一种低温等离子体干法刻蚀方法及其应用专利类型：发明专利发明人：武艳青申请号：CN201911229068.6申请日：20191204公开号：CN111129955A公开日：20200508做指挥中心控制台>地热电缆专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明涉及微加工刻蚀技术领域，尤其涉及一种低温等离子体干法刻蚀方法及其应用。该方法将完成光刻工艺后的脊型结构在ICP设备中进行干法刻蚀，刻蚀分

第二章干法刻蚀的介绍2. 1刻蚀、干法刻蚀和湿法腐蚀2. 1 .1关于刻蚀    刻蚀，是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目的，是在涂胶(或有掩用机场管理条例)的硅片上正确的复制出掩膜图形[1]。    刻蚀，通常是在光刻工艺之后进行。我们通常通过刻蚀，在光刻工艺之后，将想要的图形留在硅片上。从这一角度而言，刻蚀可以