提问：退火温度  dennyktm   退火后少子寿命会提高，是不是只是在一定的退火温度与退火时间内？另外如果硅块表面退火后表面形成氧化层，少子寿命也应该提高？最近一个单晶硅块头部、尾部退火后平均的少子寿命都比退火前各自的少子寿命低，与此同时少子寿命的宽度【min-max】较退火前也变窄了。这是什么原因造成的呢？  网友解答：  jinmu205  

问题1：请问片子的体电阻与其硼的掺杂量有什么关系呢 而且为什么电阻率越高的片子他的开路电压越低呢？杂质浓度与体电阻是反向相关的但不是线性相关的关系因为掺杂浓度到一定量后，载流子的迁移率会下降杂质浓度与体电阻是反向相关的我来说一下，不知道正不正确电阻率=1/（q*u*NA），q是单位电荷，u是载流子迁移率，NA是掺杂浓度，基区的掺杂浓度对短路电流和开路电压的影响是相反的，掺杂浓度越大，载流子的迁移率

晶锭少子寿命偏低事故报告一、事故概述最近品管部在对brick进行少子寿命检测的过程中发现有四个晶锭的平均少子寿命偏低。它们的晶锭编号和平均少子寿命分别为：1003B08012M、1003B03017M、1003A08032M、1003A02032，2.73µs、2.89µs 、2.53µs、1.79µs，而正常晶锭的平均少子寿命在3.5-5µs之间，brick低少子寿命分布图如图1-1所示。图1-

电力滤波多晶硅棒等级分类测量系统分析测量因素是影响产品质量特征值变异的6种基本质量因素(人员、机器、材料、操作方法、测量和环境)之一。与其他5种基本质量因素不同的是，测量因素对工序质量特征值的影响独立于其他5种基本质量因素综合作用的工序加工过程，这就使得单独对测量系统进行研究成为可能。正确的测量，永远是质量改进的第一步。如果没有科学的测量系统评价方法，缺少对测量系统的有效控制，质量改进就失去了基本

单晶硅棒P6″P8″型号 P型 型号 P型结晶方位 100±3°结晶方位 100±3°掺杂剂硼掺杂剂硼电阻率 0.5/3Ω．cm3/6Ω．cm电阻率0.5/6Ω．cm 高纯球形硅微粉氧含量≤1×1018atoms/cm3硅胶假乳氧含量≤1×1018atoms/cm3碳含量≤5×1016矿泉水瓶盖atoms/cm3碳含量≤5×1016atoms/cm3少子寿命10μsec 低压注塑成型少子寿命10μ

硅晶片少子寿命测试仪1、性能参数测向天线中医推拿按摩床型号：匈牙利瑟米莱伯公司Semilab WT-1200样品电阻率范围：0.1--1000Ω·cm硅棒少子寿命测试范围 :0.1μs—30ms激光波长： 904nm蜂窝纸芯光斑直径：1mm扫描步长：0.5,1，2，4，8，16mmrs232和ttl测试分辨率：0.1%测试时间：30ms/数据点2、应用范围：包括硅块、硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽

江苏 2023年事业单位考试历年真题汇编（共247题）1、（）（单选题）A. AB. BC. CD. D试题答案：D2、以下不能反映区域自然地理环境影响人们的生产方式、生活习惯、文化传统等方面的一句话是（）。（单选题）A. 靠山吃山，靠海吃海B. 一方水土养一方人C. 早穿皮袄晚穿纱，围着火炉吃西瓜D. 要想富先修路试题答案：D3、中国的邻邦日本，正在遭受“人口少子化”的困境。1999年，日本的总

大市场Market 新科普New Science拖把杆国内第一家无人化银行就在不久之前，作为中国的四大银行之一的中礼花发射器国建设银行宣布国内第一家无人银行，在上海正式夜光路面开业。一进大门，就见到一个机器人大堂经理笑脸相迎。机器人手捧的显示屏上排列着各种自助服务选二硫化物文怡加速来临的“无人化”时代在中国，银行、便利店、餐厅等场所的“无人化”进程正在加速。在外来务工人员数量减少和少子高龄化导致劳

WT-2000中文说明二辊矫直机一．简介:可选功能：μ-PCD        无接触测量少子寿命LBIC        光诱导电流，反射率，计算电池内外量子效率 SHR          无接触测试方块电阻 RES       

PLB-55多晶铸锭检测一体机多晶量产、研发的完全解决方案Presented by Semilab设备外观道路反光镜功能一览•多晶方棒PL成像–最大尺寸: 156x156x500 mm测脑龄–表面处理: 抛光或不处理自攻丝生物质气化–单面采集时间：20S（300mm高度）–图像分辨率: 150 µm沼气汽水分离器•红外透射–最大尺寸: 156x156x500 mm–表面处理: 抛光或不处理–单面采

氧化铝钝化膜沉积工艺研究许烁烁;陈特超;禹庆荣;刘舟【摘 要】采用平板式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,开展氧化铝(Al2O3)薄膜沉积工艺的研究.通过在p型单晶硅片背表面沉积Al2O3和氮化硅(SiNx)薄膜,形成Al2O3/SiNx叠层钝化膜,研究了Al2O3薄膜沉积工艺中加热温度、工艺传送速度、微波功率、三甲基铝(TMA)流量等工艺参数对钝化效果的影响,得到了最佳的工艺参数:加热

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半导体二极管及其应用电路一.半导体的基础知识1.半导体无人驾驶系统---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。加法器电路 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。&nbs

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  47vcd测试部分1.1光电导测量仪名称：WCT光电导测量工具仪器包含部分：个人计算机、少子寿命测试台、电池组Qpaq-X的电源碘酒钝化  原始硅片去除损伤层,并按生产线方式清洗或在通风橱中按RCA2（纯水H2O：H2O2：HCl=5：1：1，沸腾后保持6分钟，纯水冲洗10分钟）-RCA1（纯水H2O：H2O2：NH4OH=5：1：1，沸腾后保持6分钟，纯水冲洗6分钟）-