[19]中华人民共和国国家知识产权局[12]发明专利申请公布说明书[11]公开号CN 101372311A [43]公开日2009年2月25日[21]申请号200810222444.4[22]申请日2008.09.17[21]申请号200810222444.4[71]申请人北京大学地址100871北京市海淀区颐和园路5号[72]发明人罗葵 张大成 王兆江 李婷 田大宇 王玮 王颖 李静 [74]专

金属钨高深宽比刻蚀工艺基础研究受体激动剂  金属钨是一种重要的材料，具有高熔点、高硬度、高密度等特点，被广泛应用于电子、航空、军工等领域。而高深宽比刻蚀技术则是一种重要的微纳加工技术，可以制备出高精度、高密度的微纳结构。因此，研究金属钨的高深宽比刻蚀工艺具有重要的理论意义和实际应用价值。    金属钨的高深宽比刻蚀工艺需要考虑到其物理和化学性质。由于金属钨的熔点高达3

半导体中的高深宽比工艺一、前言半导体工艺是一项非常重要的技术领域，它是现代电子产业的基础。高深宽比工艺是半导体工艺中的一个重要分支，其主要应用于微电子器件制造中。本文将详细介绍高深宽比工艺的相关内容。二、高深宽比工艺概述碱性锌锰电池高深宽比工艺（High Aspect Ratio Process，简称HARP）是指在微米级别下，通过化学蚀刻或物理蚀刻等方法，在硅片表面形成高度与宽度比值大于10:1