专利名称：高散热的GaN单晶衬底及其制备方法专利类型：发明专利发明人：刘南柳，王琦，梁智文，姜永京，张国义申请号：CN202011053836.X申请日：20200929公开号：CN112164976A公开日：20210101专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，尤指一种高散热的GaN单晶衬底及其制备方法，该高散热的GaN单晶衬底，包括自上而下依次层叠的GaN单晶层、基底