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  • 全动态范围NS SAR ADC中的二阶失配误差整形技术[发明专利]
    专利名称:全动态范围NS SAR ADC中的二阶失配误差整形技术专利类型:发明专利发明人:吴建辉,张力振,冯金宣,魏晓彤,李红申请号:CN202010190251.6申请日:20200318公开号:CN111371456A公开日:20200703专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明公开了一种抑制噪声整形(Noise‑Shaping,NS)逐次逼近寄存器型(Successive Approxim
    时间:2024-02-27  热度:5℃
  • 可同时调节驻波比和相位的模拟天线失配负载[发明专利]
    专利名称:可同时调节驻波比和相位的模拟天线失配负载专利类型:发明专利发明人:周俊孟,谢丽珍,周蕾,戴林华,王亮申请号:CN200810037075.1申请日:20080507公开号:CN101576592A公开日:20091111专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明公开了一种应用于发射机上的可同时调节驻波比和相位的模拟天线失配负载。该设备由可调失配负载和相位调节装置两部分组成。相位调节装置还包
    时间:2024-01-25  热度:22℃
  • In组分渐变的InGaNGaN多量子阱结构光学特性
    古诗文阅读大赛In组分渐变的InGaN/GaN多量子阱结构光学特性aidma门 事件随着社会的发展,在全社会用电量中,照明用电的比例越来越大。因此,迫切需要发展节能高效的新型照明。近年来,发光二极管(light-emitting diode,LEDs)因其亮度高、能耗低、寿命长和响应快的优点,成为取代传统照明的第四代照明方式。在各种材料制备的LEDs当中,氮化镓(GaN)基LED由于具有直接带隙和
    时间:2023-10-05  热度:17℃
  • 热膨胀系数失配
    热膨胀系数失配外高桥二期    热膨胀系数失配是指,在不同材料之间,由于它们的热膨胀系数不同,导致在温度变化时,材料之间出现了应力和变形。这种失配可能会影响材料的性能,甚至会导致材料破裂或失效。    热膨胀系数是一个物理量,它衡量了材料在温度变化时的膨胀程度。对于同一种材料,由于其化学结构以及制备工艺的不同,其热膨胀系数也会有所差异。而对于不同的材料,其热
    时间:2023-09-02  热度:15℃
  • 全动态范围NS SAR ADC中的二阶失配误差整形技术[发明专利]
    专利名称:全动态范围NS SAR ADC中的二阶失配误差整形技术专利类型:发明专利发明人:吴建辉,张力振,冯金宣,魏晓彤,李红申请号:CN202010190251.6申请日:20200318公开号:CN111371456A公开日:20200703专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明公开了一种抑制噪声整形(Noise‑Shaping,NS)逐次逼近寄存器型(Successive Approxim
    时间:2024-02-27  热度:3℃
  • 全动态范围NS SAR ADC中的二阶失配误差整形技术[发明专利]
    专利名称:全动态范围NS SAR ADC中的二阶失配误差整形技术专利类型:发明专利发明人:吴建辉,张力振,冯金宣,魏晓彤,李红申请号:CN202010190251.6申请日:20200318公开号:CN111371456A公开日:20200703专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明公开了一种抑制噪声整形(Noise‑Shaping,NS)逐次逼近寄存器型(Successive Approxim
    时间:2024-02-27  热度:7℃
  • 全动态范围NS SAR ADC中的二阶失配误差整形技术[发明专利]
    专利名称:全动态范围NS SAR ADC中的二阶失配误差整形技术专利类型:发明专利发明人:吴建辉,张力振,冯金宣,魏晓彤,李红申请号:CN202010190251.6申请日:20200318公开号:CN111371456A公开日:20200703专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明公开了一种抑制噪声整形(Noise‑Shaping,NS)逐次逼近寄存器型(Successive Approxim
    时间:2024-02-27  热度:2℃
  • 全动态范围NS SAR ADC中的二阶失配误差整形技术[发明专利]
    专利名称:全动态范围NS SAR ADC中的二阶失配误差整形技术专利类型:发明专利发明人:吴建辉,张力振,冯金宣,魏晓彤,李红申请号:CN202010190251.6申请日:20200318公开号:CN111371456A公开日:20200703专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明公开了一种抑制噪声整形(Noise‑Shaping,NS)逐次逼近寄存器型(Successive Approxim
    时间:2024-02-27  热度:4℃
  • 集成电路版图设计中的失配问题研究
    通州二中集成电路版图设计中的失配问题研究作者:李畅 刘玲2013年东亚四强赛来源:《数字技术与应用》2019年第08期        摘要:版图设计是集成电路设计的关键环节,本文针对在版图设计过程中出现的失配现象进行原因分析,研究了版图匹配措施,尽可能减少在版图设计中出现的失配现象。        关键词:集成电路;版
    时间:2023-08-26  热度:8℃
  • 具有四分之一占空比开关单元的正交混频器电路[发明专利]
    专利名称:具有四分之一占空比开关单元的正交混频器电路专利类型:发明专利发明人:恽廷华申请号:CN200910054641.4申请日:20090710公开号:CN101944881A公开日:20110112专利内容由知识产权出版社提供摘要:具有四分之一占空比开关单元的正交混频器电路,涉及通信技术领域。现有技术存在功耗大、失配、低频闪烁噪声、二次非线性失真等缺陷,本发明的开关混频电路块包括I路混频子块
    时间:2024-01-12  热度:7℃
  • 集成电路版图设计中的失配问题研究
    集成电路版图设计中的失配问题研究    随着集成电路技术的不断发展,芯片设计已经成为现代半导体产业中至关重要的环节之一。在制定具体的芯片版图时,失配问题是一个极其严重的问题,因为它会导致电路性能的下降、功耗的增加以及可靠性的降低等问题。本文将详细探讨集成电路中的失配问题,包括失配的定义、失配的原因、失配的分类、失配的影响以及失配的解决方案等内容。    一、
    时间:2023-12-19  热度:17℃
  • 光伏电站光伏系统串并联失配损失的检测及计算
    光伏电站光伏系统串并联失配损失的检测及计算1、一般要求光伏电站的串并联失配损失是由于组件或组串电性能不一致造成的,对于光伏电站,各个方阵的距离远近不同,线路压降也不同,同样会造成失配损失。采用集中逆变器的光伏电站,失配损失主要包括组件到组串的串联失配损失,组串到汇流箱的并联失配损失以及汇流箱到逆变器的并联失配损失;对于采用组串逆变器的光伏电站,失配损失则包括组件到组串的串联失配损失和组串到逆变器的
    时间:2023-11-16  热度:47℃
  • 并联型功率优化方法的原理和适用条件,并用单开关拓扑实现
    果树防虫网并联型功率优化方法的原理和适用条件,并用单开关拓扑实现陶瓷过滤器浙江大学电气工程学院的研究人员杜进、王睿驰、王志鹍、吴建德、何湘宁,在2017年第24期《电工技术学报》上撰文指出,在光伏发电系统中,因局部阴影遮挡造成的特性失配是引起输出功率降低的重要原因。传统方案大多针对组串及组件失配问题,将每个光伏组件的输出经过变换器独立的最大功率跟踪后再串联加以解决,改变了原有系统连接结构。针对小功
    时间:2023-10-10  热度:12℃
  • 数据结构之数据的next和nextval
    数据结构之数据的next和nextvalKMP算法是模式匹配专⽤算法。它是在已知模式串的next或nextval数组的基础上执⾏的。如果不知道它们⼆者之⼀,就没法使⽤KMP算法,因此我们需要计算它们。KMP算法由两部分组成:第⼀部分,计算模式串的next或nextval数组。第⼆部分,利⽤计算好的模式串的nextval数组,进⾏模式匹配。KMP算法中有next数组和nextval数组之分。 他们代
    时间:2023-09-08  热度:9℃
  • 半导体外延层晶格失配度的计算(精)
    第30卷第1期   2006年2月南昌大学学报(理科版   Journal of Nanchang University (Natural Science Vol . 30No . 1 智能装备与系统Feb . 2006  文章编号:1006-0464(2006 01-0063-05半导体外延层晶格失配度的计算何菊生, 张 萌, 肖祁陵(南昌大学材料科学与工程学院,
    时间:2023-09-01  热度:12℃
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