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> TAG信息列表 > 多晶硅
自对准多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极及其制造方法与流程
自对准多晶硅单晶硅混合mems垂直电极及其制造方法技术领域1.本发明属于微电子晶圆加工的技术领域,具体是涉及一种自对准多晶硅单晶硅混合mems垂直电极及其制造方法。背景技术:2.mems(micro-
时间:2023-03-31 热度:46℃
自对准多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极及其制造方法与流程
自对准多晶硅单晶硅混合mems垂直电极及其制造方法技术领域1.本发明属于微电子晶圆加工的技术领域,具体是涉及一种自对准多晶硅单晶硅混合mems垂直电极及其制造方法。背景技术:2.mems(micro-
时间:2023-03-26 热度:36℃
一种基于温度补偿的MEMS谐振结构及其制备方法与流程
一种基于温度补偿的mems谐振结构及其制备方法技术领域1.本发明涉及mems器件制备技术领域,具体涉及一种基于温度补偿的mems谐振结构及其制备方法。背景技术:2.对于采用谐振原理的mems(mems
时间:2023-03-13 热度:37℃
一种基于温度补偿的MEMS谐振结构及其制备方法与流程
一种基于温度补偿的mems谐振结构及其制备方法技术领域1.本发明涉及mems器件制备技术领域,具体涉及一种基于温度补偿的mems谐振结构及其制备方法。背景技术:2.对于采用谐振原理的mems(mems
时间:2023-03-03 热度:46℃
一种用于生产电子级多晶硅的石墨部件的净化方法与流程
1.本发明属于电子级多晶硅生产技术领域,尤其涉及一种用于生产电子级多晶硅的石墨部件的净化方法。背景技术:2.作为半导体原材料的电子级多晶硅生产中重要组成部分,还原炉炉内石墨部件的净化对电子级多晶硅产品
时间:2023-02-27 热度:43℃
一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置与流程
1.本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。背景技术:2.有机发光二级管(organic light-emitting diode,oled)具有体积小、结
时间:2023-02-24 热度:42℃
一种多晶硅破碎下料装置及系统的制作方法
1.本实用新型涉及光伏能源技术领域,具体涉及一种多晶硅破碎下料装置及系统。背景技术:2.多晶硅成品处理作为多晶硅生产工艺的最后一道工序,肩负着将多晶硅半成品转化为成品销售的重要使命。目前多晶硅行业已从
时间:2023-02-24 热度:44℃
一种基于温度补偿的MEMS谐振结构及其制备方法与流程
一种基于温度补偿的mems谐振结构及其制备方法技术领域1.本发明涉及mems器件制备技术领域,具体涉及一种基于温度补偿的mems谐振结构及其制备方法。背景技术:2.对于采用谐振原理的mems(mems
时间:2023-02-24 热度:35℃
三维存储器及其制备方法与流程
三维存储器及其制备方法1.本技术为申请日为2020年03月19日、申请号为202010196152.9、申请名称为“三维存储器及其制备方法”的中国发明专利申请的分案申请。技术领域2.本技术涉及一种三维
时间:2022-12-27 热度:87℃
绝缘栅双极型晶体管的制作方法
1.本技术涉及半导体技术领域,具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管。背景技术:2.绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt)是一种mos场效应晶体管和
时间:2022-12-24 热度:55℃
一种电子级多晶硅生产用三氯氢硅的制备方法及系统与流程
1.本发明涉及三氯氢硅生产技术领域,具体涉及一种电子级多晶硅生产用三氯氢硅的制备方法及系统。背景技术:2.多晶硅根据产品质量高低可分为太阳能级多晶硅和电子级多晶硅,太阳能级多晶硅主要用于制造太阳能电池
时间:2022-12-21 热度:47℃
具有高方块电阻的改进的多晶硅电阻器的制作方法
具有高方块电阻的改进的多晶硅电阻器背景技术:1.多晶硅电阻器的两个参数——电阻和匹配系数——往往是反向相关的:增加电阻通常会降低匹配系数,从而导致晶片上、晶片批次内以及批次之间名义上相同的电阻器的更大
时间:2022-12-20 热度:52℃
一种基于温度补偿的MEMS谐振结构及其制备方法与流程
一种基于温度补偿的mems谐振结构及其制备方法技术领域1.本发明涉及mems器件制备技术领域,具体涉及一种基于温度补偿的mems谐振结构及其制备方法。背景技术:2.对于采用谐振原理的mems(mems
时间:2022-12-17 热度:67℃
一种多晶硅生产用粉碎装置的制作方法
1.本实用新型涉及多晶硅生产的技术领域,具体为一种多晶硅生产用粉碎装置。背景技术:2.多晶硅,是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶
时间:2022-12-10 热度:69℃
自制冷半导体电阻器及其制作方法与流程
1.本发明一般涉及半导体技术领域,特别涉及一种自制冷半导体电阻器及其制作方法。背景技术:2.芯片被称为现代工业的“粮食”,是信息技术产业重要的基础性部件,手机、计算机汽车、工业控制、物联网、大数据、人
时间:2022-12-09 热度:75℃
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