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  • 一种基于温度补偿的MEMS谐振结构及其制备方法与流程
    一种基于温度补偿的mems谐振结构及其制备方法技术领域1.本发明涉及mems器件制备技术领域，具体涉及一种基于温度补偿的mems谐振结构及其制备方法。背景技术：2.对于采用谐振原理的mems(mems
    时间：2023-03-13  热度：37℃
  • 一种基于温度补偿的MEMS谐振结构及其制备方法与流程
    一种基于温度补偿的mems谐振结构及其制备方法技术领域1.本发明涉及mems器件制备技术领域，具体涉及一种基于温度补偿的mems谐振结构及其制备方法。背景技术：2.对于采用谐振原理的mems(mems
    时间：2023-03-03  热度：46℃
  • 一种用于生产电子级多晶硅的石墨部件的净化方法与流程
    1.本发明属于电子级多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种用于生产电子级多晶硅的石墨部件的净化方法。背景技术：2.作为半导体原材料的电子级多晶硅生产中重要组成部分，还原炉炉内石墨部件的净化对电子级多晶硅产品
    时间：2023-02-27  热度：43℃
  • 一种多晶硅破碎下料装置及系统的制作方法
    1.本实用新型涉及光伏能源技术领域，具体涉及一种多晶硅破碎下料装置及系统。背景技术：2.多晶硅成品处理作为多晶硅生产工艺的最后一道工序，肩负着将多晶硅半成品转化为成品销售的重要使命。目前多晶硅行业已从
    时间：2023-02-24  热度：44℃
  • 一种基于温度补偿的MEMS谐振结构及其制备方法与流程
    一种基于温度补偿的mems谐振结构及其制备方法技术领域1.本发明涉及mems器件制备技术领域，具体涉及一种基于温度补偿的mems谐振结构及其制备方法。背景技术：2.对于采用谐振原理的mems(mems
    时间：2023-02-24  热度：35℃
  • 三维存储器及其制备方法与流程
    三维存储器及其制备方法1.本技术为申请日为2020年03月19日、申请号为202010196152.9、申请名称为“三维存储器及其制备方法”的中国发明专利申请的分案申请。技术领域2.本技术涉及一种三维
    时间：2022-12-27  热度：87℃
  • 绝缘栅双极型晶体管的制作方法
    1.本技术涉及半导体技术领域，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管。背景技术：2.绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor，igbt）是一种mos场效应晶体管和
    时间：2022-12-24  热度：55℃
  • 一种电子级多晶硅生产用三氯氢硅的制备方法及系统与流程
    1.本发明涉及三氯氢硅生产技术领域，具体涉及一种电子级多晶硅生产用三氯氢硅的制备方法及系统。背景技术：2.多晶硅根据产品质量高低可分为太阳能级多晶硅和电子级多晶硅，太阳能级多晶硅主要用于制造太阳能电池
    时间：2022-12-21  热度：47℃
  • 具有高方块电阻的改进的多晶硅电阻器的制作方法
    具有高方块电阻的改进的多晶硅电阻器背景技术：1.多晶硅电阻器的两个参数——电阻和匹配系数——往往是反向相关的：增加电阻通常会降低匹配系数，从而导致晶片上、晶片批次内以及批次之间名义上相同的电阻器的更大
    时间：2022-12-20  热度：52℃
  • 一种基于温度补偿的MEMS谐振结构及其制备方法与流程
    一种基于温度补偿的mems谐振结构及其制备方法技术领域1.本发明涉及mems器件制备技术领域，具体涉及一种基于温度补偿的mems谐振结构及其制备方法。背景技术：2.对于采用谐振原理的mems(mems
    时间：2022-12-17  热度：67℃
  • 一种多晶硅生产用粉碎装置的制作方法
    1.本实用新型涉及多晶硅生产的技术领域，具体为一种多晶硅生产用粉碎装置。背景技术：2.多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶
    时间：2022-12-10  热度：69℃
  • 自制冷半导体电阻器及其制作方法与流程
    1.本发明一般涉及半导体技术领域，特别涉及一种自制冷半导体电阻器及其制作方法。背景技术：2.芯片被称为现代工业的“粮食”，是信息技术产业重要的基础性部件，手机、计算机汽车、工业控制、物联网、大数据、人
    时间：2022-12-09  热度：75℃
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