专利名称：一种通过等离子体技术增强氧化铪(HfO)基铁电薄膜铁电性能的方法专利类型：发明专利发明人：燕少安，龚俊，罗鹏宏，唐明华，郑学军申请号：CN202011325193.X申请日：20201124公开号：CN112447508A公开日：20210305专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种通过等离子体技术增强氧化铪(HfO)基铁电薄膜铁电性能的方法，具体方法步骤包括：预先对衬底进行

专利名称：一种通过等离子体技术增强氧化铪(HfO)基铁电薄膜铁电性能的方法专利类型：发明专利发明人：燕少安，龚俊，罗鹏宏，唐明华，郑学军申请号：CN202011325193.X申请日：20201124公开号：CN112447508A公开日：20210305专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种通过等离子体技术增强氧化铪(HfO)基铁电薄膜铁电性能的方法，具体方法步骤包括：预先对衬底进行