...垂直磁隧道结(pMTJ)的应变工程的方式以及所得到的结构[发明专利]
专利名称:用于垂直磁隧道结(pMTJ)的应变工程的方式以及所得到的结构专利类型:发明专利发明人:D.G.奥埃莱特,C.J.韦冈德,MD.T.拉曼,B.梅尔茨,O.戈隆兹卡,J.S.布罗克曼,K.P.奥布赖恩,B.S.多伊尔,K.奥古茨,T.加尼,M.L.多齐申请号:CN201680084322.6申请日:20160330公开号:CN108886092A公开日:20181123专利内容由知识产权出版
时间:2024-03-19 热度:11℃