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  • 基于FPGA的nor flash坏块管理系统及方法
    (19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 113176970 A(43)申请公布日 2021.07.27(21)申请号 CN202110716395.5(22)申请日 2021.06.28(71)申请人 中国核动力研究设计院    地址 610000 四川省成都市双流区长顺大道一段328号(72)发明人 汪亨 刘明星 吴志强 张文帅 赵
    时间:2024-01-27  热度:11℃
  • 扩容U盘修复方法
    抽油机示功图扩容U盘修复⽅法最近同学的U盘借来制作启动盘竟然弄坏了,就解决过程中⼀些收获、经验分享给⼤家⼀、 ⾸先必须了解U盘的构成,U盘主要有外壳与机芯构成。外壳就不介绍了其中重点关注的就是主控和FLASH了⼀、擎泰(Skymedi)主控的特点:1、⽀持USB-CDROM/USB-ZIP/USB-HDD三盘共存和启动。(有JS说朗科也⽀持三启是骗⼈的。)2、兼容性和读写速度⼀般。3、⽀持的ISO
    时间:2023-10-28  热度:20℃
  • 基于FPGA的Nandflash存储模块设计
    2021.13科学技术创新表4优化前后性能值比较通常在实际项目中,开发者无法针对特定的模型制定合理的切片方式,因此会出现大型3D 场景无法加载的问题。通过模型切片数据加载及贴图切片数据渲染的优化,使得效率有一定程度的提升,特别对于大型的切片方式及小型的切片方式。算法提高了各种不同大小切片方式下的效率值,并使得在加载大型的切片和小型的切片时,终端运行正常,不会出现卡死等情况,运行得到保障。3结论目前
    时间:2023-10-01  热度:24℃
  • NAND FLASH编程器_NAND FLASH烧录器
    NAND FLASH编程器_NAND FLASH烧NAND FLASH编程器_软件下载SUPERPRO5000是西尔特出品的新一代USB接口独立式智能极速NAND FLASH编程器.具有编冷凝器设计想的选择。SUPERPRO5000除了支持算法集成的三个坏块处理方法外,还可以为客户选择定制其他的支持ecc512B(Hamming Code),并且支持生成的ecc码在spare区任意连续地址map。
    时间:2023-09-25  热度:17℃
  • NAND FLASH烧录说明(D2800)
    NAND FLASH 烧录说明(D2800)(中文版REV1.00)本文档是引导客户如何正确使用D2800系列编程器烧录NAND Flash,可以满足客户在研发和生产中遇到的NAND Flash烧录的一般需求。本文档版权归苏州诺动力电子科技有限公司( SuZhou Nowotek Electronic Co., Ltd.)所有,受《中华人民共和国著作权法》保护。由于本文档编写人员的水平和对技术细节
    时间:2023-09-25  热度:16℃
  • 基于FPGA的数据记录仪NAND FLASH读写模块研制
    13发热板科技创新导报 Science and Technology Innovation Herald 研 究 报 告1  概述随着各种应用对存储容量的要求不断增加,N AND  F LAS H作为一种新兴的半导体存储器件,以其高密度、大容量、高速存储速率以及更多的擦除次数等特点得到了迅猛发展,并广泛应用于各个领域。但是由于工艺和使用环境等问题,N AN D F LA SH
    时间:2023-09-25  热度:11℃
  • 说说NANDFLASH以及相关ECC校验方法
    说说NANDFLASH以及相关ECC校验⽅法Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最⼩读取/写⼊的单位,Flash是⼀次性地擦除整个块:在发送⼀个擦除命令后,⼀次性地将⼀个block,常见的块的⼤⼩是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是⾥⾯的内容全部都是0xFF了,由于是⼀下⼦就擦除了,相对来说,擦除⽤的时间很短,
    时间:2023-09-25  热度:24℃
  • 基于FPGA的Nandflash存储模块设计
    2021.13科学技术创新表4优化前后性能值比较通常在实际项目中,开发者无法针对特定的模型制定合理的切片方式,因此会出现大型3D 场景无法加载的问题。通过模型切片数据加载及贴图切片数据渲染的优化,使得效率有一定程度的提升,特别对于大型的切片方式及小型的切片方式。算法提高了各种不同大小切片方式下的效率值,并使得在加载大型的切片和小型的切片时,终端运行正常,不会出现卡死等情况,运行得到保障。3结论目前
    时间:2023-09-25  热度:14℃
  • NorFlash与NandFlash
    NorFlash与高粱红素NandFlash (2008-10-31 10:19:46) FLASH存储器又称闪存,主要有两种:NorFlash和NandFlash,下面我们从多个角度来对比介绍一下。在实际开发中,设计者可以根据产品需求来进行闪存的合理选择。1、接口对比NorFlash带有通用的SRAM接口,可以轻松地挂接在CPU氧浓度传感器的地址、数据总线上,对CPU的接口要求低。NorFla
    时间:2023-09-25  热度:16℃
  • NOR和NAND的区别
    NOR和NAND的区别NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。NOR一般只用来存储少量的代码;NAND则是高存储密度数据的理想解决方案。NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储。器件特点:NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高,它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在(NOR型)flash闪存内运行,不必再
    时间:2023-09-25  热度:14℃
  • 数据记录器中NAND Flash的坏块管理方法
    Vol. 36 No. 8132舰船电子工程Ship Electronic Engineering总第266期2016年第8期数据记录器中NAND Flash的坏块管理方法小球归位邢旺郁聪冲(92941部队95分队葫芦岛125000)摘要NAND Flash作为数据记录器中的数据存储芯片,其在应用时容易受到坏块问题的影响。大量的应用表明坏块能够降低存储芯片的稳定性,造成存储数据的错误,因此为了保证
    时间:2023-09-25  热度:17℃
  • NAND FLASH编程器_NAND FLASH烧录器
    隧道式搪瓷烧结炉NAND FLASH编程器_NAND FLASH烧NAND FLASH编程器_软件下载SUPERPRO5000是西尔特出品的新一代USB接口独立式智能极速NAND FLASH编程器.具有编想的选择。SUPERPRO5000除了支持算法集成的三个坏块处理方法外,还可以为客户选择定制其他的支持ecc512B(Hamming Code),并且支持生成的ecc码在spare区任意连续地址m
    时间:2023-09-25  热度:42℃
  • 数据记录器中NAND Flash的坏块管理方法
    Vol. 36 No. 8132舰船电子工程Ship Electronic Engineering总第266期2016年第8期数据记录器中NAND Flash的坏块管理方法邢旺郁聪冲(92941部队95分队葫芦岛125000)摘要NAND Flash作为数据记录器中的数据存储芯片,其在应用时容易受到坏块问题的影响。大量的应用表明坏块能够降低存储芯片的稳定性,造成存储数据的错误,因此为了保证存储数据
    时间:2023-09-25  热度:20℃
  • NOR和NAND的区别
    NOR和NAND的区别  --1NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。NOR一般只用来存储少量的代码,主要应用在代码存储介质中;NAND则是高存储密度数据的理想解决方案,适合于数据存储。元器件清单器件特点:NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高,它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在(NOR型)flash闪
    时间:2023-09-25  热度:16℃
  • 【芯邦 2093P 量产心得】解决坏块异常问题 量产耗时缩短25倍
    昨天同学给了我一个旧U盘,外壳坏了,打开一看是居然是悲催的芯邦2093P。回家就下载了2093P的量产工具,但是版本太旧,识别不了Flash型号。于是又下载了最新的V5535,终于完美识别了。使用默认的量产模式出现问题:扫描完成的时候显示只有221个坏块,格式化分区完成后却变成一千多个坏块了!?而且容量也由3.7G变成了1.7G,反复几次都是如此。扫描低格一般需要25分钟,很耗时,折腾几个小时后我
    时间:2023-08-07  热度:21℃
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