ZnO薄膜的p型掺杂[摘要] 氧化锌是一种ⅱ-ⅵ族直接带隙宽禁带化合物半导体材料。氧化锌为本征n型半导体,存在诸多本征施主缺陷(如氧空位vo和间隙zni等),对受主掺杂产生高度自补偿作用氧空位,加之受主杂质有限的固溶度或较深的受主能级,使得zno薄膜的p型掺杂非常困难。目前，关于zno薄膜的p型掺杂理论上已有所研究，但尚未形成共识；实验上，已有zno薄膜的p型掺杂成功地报道，但重复性不好。本文旨在

类氢杂质和类氢模型半导体施主、受主杂质能级的计算这是在计算半导体中浅能级杂质(Shallowlevelimpurity)的电离能时所经常采用的一种模型，即把束缚着价电子的杂质原子看成为一个类氢原子。(1)基本概念和能级计算:浅能级杂质就是指在半导体中、其价电子受到束缚较弱的那些杂质原子，往往就是能够提供载流子--电子或空穴的施主、受主杂质；它们在半导体中形成的能级都比较靠近价带顶或导带底，因此称其

ZnO薄膜P双活接球阀型掺杂的研究现状【摘 要】 ZnO是一种宽禁带半导体材料（3.37eV），具有许多优异的光电特性。但一般制备出的ZnO薄膜材料均呈N型导电，要实现ZnO在光电器件领域的广泛应用，必须获得性能良好p型ZnO。然而，由于受主元素在ZnO中较低的固溶度、较深的受主能级、施主缺陷的自补偿等因素，很难制备出性能优异的p-ZnO。本文对P型ZnO薄膜的研究现状做一简要综述。【关键词】 Z

第41卷第10期2020年10月发光学报CHINESE JOUＲNAL OF LUMINESCENCEVol.41No.10Oct．，2020文章编号：1000-7032（2020）10-1262-07收稿日期：2020-07-17；修订日期：2020-08-16基金项目：吉林省教育厅“十三五”科学技术研究项目（201649）资助Supported by Scientific and Techno

世界上最纯的物质：硅硅，是人类在世界上提得最纯的物质，目前人类能够得到的最纯的硅，纯度是99.99999999999999%，估计读者们数不过来，告诉您吧，是16个9。但是，纯硅虽然也有半导体的性质，却是一种没有什么实际用处的半导体。真正要制作能够使用的半导体器件，包括太阳能电池，就要在其中添加一些杂质，常见的是磷和硼。也有镓、砷、铝和其它一些元素。杂质的作用，总体上来说，是调节硅原子的能级，学过

激光技术第 21 卷  第 5 期1997 年 10 月Vol . 21 ,No . 5October ,1997L A SER T ECHNOL O GY闪光灯泵浦施主2受主染料激光器李又生  陈美锋  张德沛  李  斌(华中理工大学激光技术和工程研究院 ,武汉 ,430074)摘要 : 从施主2受主染料体系出发 ,研究了