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> TAG信息列表 > 发光管
尿液分析仪[实用新型专利]
专利名称:尿液分析仪专利类型:实用新型专利发明人:赵全新,张喜民,张文杰,金东根,张波,何兵,韩基辉申请号:CN99212329.1申请日:19990520公开号:CN2371560Y公开日:20000329专利内容由知识产权出版社提供摘要:尿液分析仪。光源采用三组高强度发光管,每组两个发光管的波长相同,同样波长的发光管相对设置在同一直线上,三组共六个发光管在同一圆周上平均分布,每组的两个发光管后
时间:2024-04-07 热度:6℃
一种带蛇形电源线的标准口LED灯[实用新型专利]
专利名称:一种带蛇形电源线的标准口LED灯专利类型:实用新型专利发明人:赵建和申请号:CN200620115578.2申请日:20060523公开号:CN200965201Y公开日:20071024专利内容由知识产权出版社提供摘要:本实用新型针对LED发光管的特点,提供一种带蛇形电源线的标准口LED灯,该灯可以直接安装在现成的灯座上,它由标准口、蛇形电源线、护套和LED发光管灯头组成,其中,标准口
时间:2024-03-20 热度:4℃
一种带蛇形电源线的标准口LED灯[实用新型专利]
专利名称:一种带蛇形电源线的标准口LED灯专利类型:实用新型专利发明人:赵建和申请号:CN200620115578.2申请日:20060523公开号:CN200965201Y公开日:20071024专利内容由知识产权出版社提供摘要:本实用新型针对LED发光管的特点,提供一种带蛇形电源线的标准口LED灯,该灯可以直接安装在现成的灯座上,它由标准口、蛇形电源线、护套和LED发光管灯头组成,其中,标准口
时间:2024-03-20 热度:7℃
一种制备维生素D3的光化学反应装置[实用新型专利]
(10)授权公告号 CN 202238034 U(45)授权公告日 2012.05.30C N 202238034 U*CN202238034U*(21)申请号 201120177575.2(22)申请日 2011.05.30B01J 19/12(2006.01)C07C 401/00(2006.01)(73)专利权人何德海地址361004 福建省永春县桃城镇桃溪村泉州雷恩生化有限公司
时间:2024-01-28 热度:11℃
发光二极管工作原理、特性及应用
发光二极管工作原理、特性及应用半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。
时间:2023-08-24 热度:7℃
LED基本知识
LED基本知识半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P -N结
时间:2023-08-24 热度:14℃
9大简单方法区别LED屏优劣
9大简单方法区别LED屏优劣 为了快速判断LED显示屏质量好坏,从各方观点综合了LED显示屏以下9个重要项目。前面8个项目适用于一般LED显示屏,第9个项目针对小间距LED显示屏而言。 一、最大亮度指在一定环境照度下,LED显示屏各基在最高灰度级、最高亮度时的亮度。简而言之就是使用软件设定显示屏为白255级时使用光在法线方向上所测得的亮度。对于户外LED显示屏根据使
时间:2023-12-14 热度:15℃
9大简单方法区别LED屏优劣
9大简单方法区别LED屏优劣 为了快速判断LED显示屏质量好坏,从各方观点综合了LED显示屏以下9个重要项目。前面8个项目适用于一般LED显示屏,第9个项目针对小间距LED显示屏而言。 led箱体 一、最大亮度指在一定环境照度下,LED显示屏各基在最高灰度级、最高亮度时的亮度。简而言之就是使用软件设定显示屏为白255级时使用光在法线方向上所测得的亮度。对于户外LED显
时间:2023-12-09 热度:15℃
光耦应用电路设计方法
光耦应⽤电路设计⽅法声波识别>ei矽钢片常见的光耦应⽤电路应⽤如下所⽰:假设光耦参数如下:电流传输⽐:50%发光管压降:1.2V发光管⼯作电流:0.5-50mA甘薯苗光电三极管饱和压降:0.7VDI为输⼊信号,假定DI输⼊⾼时三极管导通,三极管压降为0.7V,光耦⼯作电流选取1mA,则R1两端的电压为:VR1=12-0.7-1.2=10.1V;由R1和发光管串联可知,R1通过的电流等于发光管的电流
时间:2023-11-09 热度:13℃
发光二极管基本理论知识
发光二极管基本理论知识2007-03-11 09:38:58.0半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半
时间:2023-11-06 热度:11℃
LED发光二极管技术参数常识
LED发光二极管技术参数常识 半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一)、LED发光原理虚拟影像重建技术 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓
时间:2023-11-06 热度:13℃
LED发光二极管原理(图文)讲解学习
LED发光二极管原理(图文)半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。导丝男士一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因
时间:2023-11-06 热度:18℃
LED基本理论知识
LED基本理论知识半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED远程控制杀虫灯)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、防卫器GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结
时间:2023-11-06 热度:7℃
LED发光二极管原理(图文)讲解学习
LED发光二极管原理(图文)半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。钙镁离子一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因
时间:2023-11-06 热度:11℃
LED基本理论知识
LED基本理论知识半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-
时间:2023-11-06 热度:17℃
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