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  • 双介晶化合物和介晶介质
    CN201580071396.1,双介晶化合物和介晶介质,本发明涉及式I的双介晶化合物其中R11、R12、MG11、MG12和CG1具有权利要求1中所给出的含义,涉及式I的双介晶化合物在液晶介质中的用途,和尤其涉及包含根据本发明的液晶介质的挠曲电液晶器件。
    时间:2023-03-14  热度:34℃
  • 双介晶化合物和介晶介质
    CN201380035212.7,双介晶化合物和介晶介质,本发明涉及式(I)所示的双介晶化合物,其中,R11、R12、MG11、MG12、X11、X12和Sp1具有权利要求1中给出的定义,涉及式(I)所示的双介晶化合物在液晶介质中的用途,特别涉及包含根据本发明的液晶介质的挠曲电液晶器件。
    时间:2023-03-14  热度:29℃
  • 双介晶化合物和介晶介质
    CN201480070266.1,双介晶化合物和介晶介质,本发明涉及式I的双介晶化合物其中R11、R12、MG11、MG12、X11、X12和Sp1具有权利要求1中所给出的含义,涉及式I的双介晶化合物在液晶介质中的用途,和尤其涉及包含根据本发明的液晶介质的挠曲电液晶器件。
    时间:2023-03-13  热度:34℃
  • 双介晶化合物和介晶介质
    CN201580060728.6,双介晶化合物和介晶介质,本发明涉及式I的双介晶化合物其中R11、R12、MG11、MG12、X11、X12和Sp1具有权利要求1中所给出的含义,涉及式I的双介晶化合物在液晶介质中的用途,和尤其涉及包含根据本发明的液晶介质的挠曲电液晶器件。
    时间:2023-03-14  热度:31℃
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