专利名称：基于CGSim软件模拟获取大尺寸黄铜矿类单晶的方法专利类型：发明专利发明人：郝树伟，付昊，雷作涛，朱崇强，赵丽丽，杨春晖申请号：CN202011337537.9申请日：20201125公开号：CN112466407A公开日：20210309专利内容由知识产权出版社提供摘要：利用CGSim软件模拟获取大尺寸黄铜矿类单晶的方法，它涉及计算机模拟生长单晶的方法，它要解决现有的大尺寸黄铜矿类AB

单晶高电压三元的制备及性能研究沈恒冠;戚洪亮;佘圣贤;李勇华【摘 要】采用固相法制备出掺杂镁、铝的镍钴锰三元氧化物LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2的单晶材料.采用X射线衍射光谱法(XRD),扫描电子显微镜法(SEM)和恒电流充放电测试等方法对该材料的结构、形貌及电化学性能进行表征.结果表明,材料具有较好的层状结构,在3～4.4V下,扣式电池0.1 C放电比容量可达186.7 mAh/g,全电

专利名称：用于直拉硅单晶炉热场拆清辅助机专利类型：发明专利发明人：宋克冉，杨西虎，孙须良申请号：CN202011395051.0申请日：20201203公开号：CN112658659A公开日：20210416专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明提供用于直拉硅单晶炉热场拆清辅助机，该辅助机包括支撑架、第一驱动组件、支撑立柱、夹取组件和托盘组件，若干支撑立柱固定安装于支撑架上，在第一驱动组件的驱动

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 113050552 A(43)申请公布日 2021.06.29(21)申请号 CN202110169686.7(22)申请日 2021.02.07(71)申请人 成都中光睿华科技有限公司    地址 610000 四川省成都市成华区羊子山路68号5栋2单元5层8号(72)发明人 温猛 (74)专

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 113957526 A(43)申请公布日 2022.01.21(21)申请号 CN202111042218.X(22)申请日 2021.09.07(71)申请人 西北大学    地址 710127 陕西省西安市长安区郭杜教育科技产业区学府大道1号(72)发明人 冯宏剑 芦珊珊 钱崇鑫 (74)专

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910833796.1(22)申请日 2019.09.04(71)申请人 内蒙古中环光伏材料有限 010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号(72)发明人 杨志　刘有益　刘学　王建平　周泽　王林　谷守伟　徐强　郭志荣　许建　(74)专利代理机构 天津诺德知识产

专利名称：超导单晶膜的水热制备方法及其产品专利类型：发明专利发明人：董晓莉，刘少博，马晟，周放，赵忠贤申请号：CN202010489858.4申请日：20200602公开号：CN111607826A公开日：20200901专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明提供了一种超导单晶膜的制备方法，所述方法为水热法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将反应物和去离子水，装入可封闭加热容器中，拌混合充分，并

专利名称：单晶炉及应用方法专利类型：发明专利发明人：欧子杨，杨宇昂，向鹏申请号：CN202111476595.4申请日：20211206公开号：CN114164488A公开日：20220311专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种单晶炉及应用方法，单晶炉包括：保温筒、坩埚、埚帮、加热器和隔热垫。坩埚设置于保温筒内；埚帮位于坩埚外侧，包括侧面和底面，底面连接有帽沿结构；加热器，包括侧部加

专利名称：单晶炉的热场专利类型：发明专利发明人：秦青云申请号：CN201310383462.1申请日：20130828公开号：CN104419979A公开日：20150318专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明属于太阳能光伏领域，具体是用于生长晶硅的单晶炉中用于熔晶硅的单晶炉的热场。它包括炉体，炉体内设有三瓣锅，三瓣锅周围设有加热装置，炉体内壁上设有保温筒，三瓣锅上方设有导流筒，导流筒固定在保

专利名称：一种氟化钙的制备工艺及其设备专利类型：发明专利发明人：徐超，刘晓阳，张钦辉申请号：CN201811633840.6申请日：20181229公开号：CN111379024A公开日：20200707专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明实施方式公开了一种氟化钙的制备工艺，包括如下步骤：抽真空，使炉体内部真空度不小于10Pa再对高温区加热器和低温区加热器同时以30～50℃/小时升温；待高温区

专利名称：CZ直拉法单晶炉软轴压线装置专利类型：实用新型专利发明人：马四海，张笑天，丁磊，马先松，马青，徐大国申请号：CN201220282000.1申请日：20120614公开号：CN202755094U公开日：20130227专利内容由知识产权出版社提供摘要：本实用新型公开了一种CZ直拉法单晶炉软轴压线装置，包括有基座，基座上转动安装有转轴，转轴上安装有活动臂，转轴的两端分别安装有卡簧，位于活

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 202021289765.9(22)申请日 2020.07.03(73)专利权人 晶科能源有限 334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号专利权人 浙江晶科能源有限公司(72)发明人 卢亮　张涛　金浩　肖贵云　邓清香　(74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 113957528 A(43)申请公布日 2022.01.21(21)申请号 CN202111202512.2(22)申请日 2021.10.15(71)申请人 浙江大学温州研究院;浙江锌芯钛晶科技有限公司    地址 325036 浙江省温州市瓯海区凤南路26号(72)发明人 黄靖云 罗斌 汪

晶体培养晶体培养⽅法下层⽤良溶剂—————-如DMF,DMAC,DMSO,CH2Cl2，苯胺等上层⽤不良溶剂————如醇类，醚类，⼄腈等当然也⽤混合溶剂了。单晶培养的⽅法⼀、挥发法原理：依靠溶液的不断挥发，使溶液由不饱和达到饱和过饱和状态。条件：固体能溶解于较易挥发的有机溶剂?⼀般丙酮、甲醇、⼄醇、⼄腈、⼄酸⼄酯、、苯、甲苯、四氢呋喃、⽔等。理论上，所有溶剂都可以，但⼀般选择60～120℃

专利名称：一种晶圆级单晶铜箔的制备方法及规整石墨烯的制备方法专利类型：发明专利发明人：李瑛，李莉，陈智，苏陈良，田冰冰申请号：CN202011344894.8申请日：20201126公开号：CN112522775A公开日：20210319cp25德美亚3号专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种晶圆级单晶铜箔的制备方法及规整石墨烯的制备方法。所述晶圆级单晶铜箔的制备方法，包括：对多晶铜箔