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生产单晶硅制备及其应用工艺技术
生产单晶硅制备及其应用工艺技术205 202010186977.9 非晶硅/单晶硅异质结太阳能电池铝背电场制备方法 206 202010205614.5 嵌入式单晶硅腔体的六边形硅膜压阻式压力传感器及方法 207 202020057250.8 形成交替的P型和N型单晶硅结构的方法
时间:2024-05-17 热度:7℃
一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 113564689 A(43)申请公布日 2021.10.29(21)申请号 CN202010357713.9(22)申请日 2020.04.29(71)申请人 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司;赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司 地址 338000 江西省新余市高新经济开发区赛维工
时间:2024-04-07 热度:7℃
一种单晶硅及多晶硅测试台[实用新型专利]
专利名称:一种单晶硅及多晶硅测试台专利类型:实用新型专利发明人:陈伟,孔,杨玉生,姜春潮申请号:CN201621492436.8申请日:20161230公开号:CN206348390U公开日:20170721专利内容由知识产权出版社提供摘要:本实用新型公开了一种单晶硅及多晶硅测试台,包括工作台,所述工作台上设置有电气控制箱,且电气控制箱上安装有控制面板,所述控制面板上设置有电源开关、调节旋钮和启
时间:2024-03-03 热度:10℃
准单晶硅片的外观检测方法[发明专利]
(10)申请公布号 CN 102466646 A(43)申请公布日 2012.05.23C N 102466646 A*CN102466646A*(21)申请号 201110401575.0(22)申请日 2011.12.07G01N 21/95(2006.01)G01B 11/28(2006.01)(71)申请人江苏腾晖电力科技有限215542 江苏省常熟市沙家浜常昆工业园腾
时间:2024-01-15 热度:14℃
新能源判断题及答案
新能源判断题及答案 注意:要求每一题必需作出判断不能不答2、P-n结最重要的特性是具有整流性,只容许电流流经单一方向。(√)3、1945年美国贝尔实验室研制成光电转换效率达6%的实用单晶硅太阳电池。(×)利用三角形全等测距离26、世界上第一个沼气发生器诞生于法国(√还原糖)5、单晶硅棒的生产方法只有直拉法(×)6、砷化镓材料为无毒污染的光电材料(×)一次函数的应用8、光热利用是人类最早
时间:2023-09-23 热度:12℃
单晶硅微纳刻蚀加工
闵可夫斯基单晶硅微纳刻蚀加工 微纳刻蚀加工是一项利用电子束来处理表面的加工技术,其产生的离子能量使得材料进行深层次的分解、削减或其他变化。它的规模可以从纳米尺度到毫米尺度,可以应用于大多数类型的材料,包括半导体材料,金属、陶瓷和树脂等。单晶硅微纳刻蚀加工已经成为半导体行业中一项重要的工艺,它能够有效地处理单晶硅,为半导体器件提供了更高的质量和性能。焊接技术国家统一法律职业
时间:2023-09-16 热度:18℃
太阳能电池研究综述
太阳能电池研究进展综述[摘要]:综述了当前太阳能电池发展中的新技术和新方向。为使太阳能电池能够更加充分地吸收太阳光,表现出更高的能量转换效率,同时具备更加低廉的成本及更为广泛的应用领域,薄膜电池、柔性电池以及叠层电池已经成为太阳能电池领域的重要发展方向。[关键词]:太阳能电池;单晶硅;染料敏化太阳能电池[Abstract]:Summarizes the new technology and new
时间:2024-07-16 热度:0℃
多孔硅腐蚀制造空腔薄膜方法
多孔硅腐蚀制造空腔薄膜方法季锋,刘琛,孙伟,闻永祥,邹光祎(杭州士兰集成电路有限公司,浙江杭州,310018)摘要:本文介绍了在具有N-网格结构的单晶硅上通过电化学腐蚀的方法,将硅片部分区域转化成多孔硅,通过常规单晶硅外延工艺,使多孔硅所在区域形成外延单晶硅下的空腔结构。该制造方法除电化学腐蚀工艺外,完全与CMOS工艺方法兼容,具有成本低,良率高,膜厚均匀等优势,是一种较为理想的空腔薄膜制作方法。
时间:2024-07-03 热度:0℃
调节单晶硅生长过程中氧含量的方法[发明专利]
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201811636347.X(22)申请日 2018.12.29(71)申请人 徐州鑫晶半导体科技有限 221004 江苏省徐州市徐州经济开发区杨山路66号(72)发明人 黄末 (74)专利代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201代理人 赵天月(51)Int
时间:2024-05-30 热度:5℃
一种颗粒硅直接用于CCZ直拉法制备单晶硅的装置[实用新型专利]
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 202121997451.9(22)申请日 2021.08.24(73)专利权人 包头美科硅能源有限 014010 内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区拓业路1号专利权人 江苏美科太阳能科技股份有限公司(72)发明人 马新星 王军磊 王艺澄 (74)专利代理机构 南京利丰知识
时间:2024-05-29 热度:5℃
拉晶炉、单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭及硅片[发明专利]
专利名称:拉晶炉、单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭及硅片专利类型:发明专利发明人:张婉婉,文英熙,柳清超申请号:CN201910562644.2申请日:20190626公开号:CN110129884A公开日:20190816专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明提供一种拉晶炉、单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭及硅片,其中,拉晶炉用于制造单晶硅锭,包括:炉体,所述炉体内包括主炉室和与所述主炉室相连通的副炉
时间:2024-05-28 热度:6℃
光伏电池的几种类型
光伏电池的几种类型 光伏电池的几种类型随着科学技术进步、市场需求拉动和世界各国产业政策的引导,近年光伏发电快速发展,在新能源、可再生能源领域中一枝独秀,将成为最有发展前景的主导能源和替代能源。光伏发电最基本的装置就是光伏电池。它是利用光伏技术制作,直接将太阳能转换为电能的光电元件。目前,世界上最常用的光伏电池主要有以下几种类型:一、单晶硅光伏电池单晶硅光伏电池是开发较早、
时间:2024-05-17 热度:3℃
主要工业产品产量目录
主要工业产品产量目录深圳市统计局2012年12月目 录一、规模以上工业主要产品产量目录 1二、主要工业产品销售、库存、订货目录 13三、主要工业产品生产能力目录 16四、规模以下工业主要产品产量目录 17v/hdjl/fthg/201305/
时间:2024-05-17 热度:7℃
一种太阳能电池组件及其封装方法
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 102969384 A(43)申请公布日 2013.03.13(21)申请号 CN201210560592.3(22)申请日 2012.12.20(71)申请人 英利能源(中国)有限公司 地址 071051 河北省保定市朝阳北大街3399号(72)发明人 李高非 刘大伟 郎芳 胡志岩 熊景
时间:2024-05-17 热度:6℃
单晶硅的分类及应用
单晶硅的分类及应用单晶硅是指由纯度极高的硅材料制成的半导体材料,其晶体结构具有高度的有序性和定向性。单晶硅具有优异的电子特性,被广泛应用于半导体器件的制造以及光电子、太阳能等领域。下面将详细介绍单晶硅的分类及应用。一、单晶硅的分类单晶硅可以根据生长方法、晶体形态等多个方面进行分类。目前常见的单晶硅分类方法有以下几种:1. 生长方法根据单晶硅的生长方法,可将其分为Czochralski生长单晶硅、区
时间:2024-05-17 热度:3℃
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