石墨烯磁势垒量子点的能级结构邓立娟;左凯丽;阎维贤【摘 要】研究了磁势垒量子点中有质量和无质量Dirac粒子的能级结构.通过求解Dirac方程,利用数值计算出圆内圆外磁矢势方向相同和相反以及有质量时量子点的能谱结构.研究表明,当圆内圆外的磁矢势方向相同时,随着量子点半径的增加,能级的变化体现出量子点内外磁场的竞争关系.与量子点内外的磁矢势方向相同显著不同,量子点内外的磁矢势方向相反时,量子点外的磁

肖特基二极管  肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理DMT制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管

肖特基二极管简介  肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。是近年来问世的

“势垒遂穿”到扫描隧道显微镜李春雨 中国石油大学 材料物理3 1309050320国土资源部关于调整部分地区土地等别的通知【摘要】本文叙述了势垒遂穿效应的发现历史，科学理论以及未来的应用前景。同时，本文借此强调了基础理论对技术发明的重要性。【关键词】势垒遂穿，波函数，量子力学，扫描隧道显微镜回顾科技史，以量子论、相对论为代表的近代物理学掀起了以能源、材料、信息为代表的现代技术革命，其中量子理论在形

hmm事件量子隧穿几率扬州大学职前教育量子隧穿几率是指在量子力学中，粒子穿过一个势垒的概率。在经典物理学中，粒子需要具备足够的能量才能穿过势垒，但在量子力学中，即使粒子的能量低于势垒的高度，也存在一定的概率穿过势垒。这种现象被称为量子隧穿。量子隧穿几率的计算需要用到薛定谔方程，它描述了粒子在势场中的运动。在势垒中，薛定谔方程的解析解很难求得，因此需要采用数值计算的方法。一般来说，计算量子隧穿几率需

主题模式电子器件中的量子隧穿现象研究近年来，电子器件在我们生活中的应用越来越广泛，从智能手机到计算机，从平板电视到汽车音响，无处不见电子器件的身影。电子器件中的量子隧穿现象是一项非常重要的研究领域，这一现象被广泛应用于半导体器件中的隧穿二极管、隧穿场效应晶体管等器件的制造中。hca2量子隧穿现象是指，当一个粒子从区域A穿越势垒（即区域B）进入区域C时，存在一定的概率。在经典物理学中，粒子从高能级到

量子与统计物理课题论文论文名称：量子力学中隧穿效应的原理及其应用所在班级：材料物理081小组成员：黄树繁（08920107）蒋昌达（08920108）摘要：量子隧穿效应为一种量子特性，是如电子等微观粒子能够穿过它们本来无法通过的“墙壁”的现象。这是一种特殊的现象，这是因为根据量子力学，微观粒子具有波的性质，而有不为零的几率穿过位势障壁。本文主要介绍量子隧穿效应的基本原理、简单和稍微复杂一点的情况的

(10)申请公布号 (43)申请公布日 2014.03.26C N  103673866A (21)申请号 201310682762.X(22)申请日 2013.12.13G01B 7/16(2006.01)(71)申请人山东大学地址250100 山东省济南市历城区山大南路27号(72)发明人林兆军  赵景涛  栾崇彪  吕元杰杨铭  周阳&nbs

专利名称：一种芯片势垒前的清洗装置及清洗工艺专利类型：发明专利发明人：杨亚峰，杨正铭，赵顺，孙培，王毅申请号：CN201711120271.0申请日：20171114公开号：CN107799446A公开日：20180313专利内容由知识产权出版社提供摘要：一种芯片势垒前的清洗装置及清洗工艺。涉及集成电路制造领域，尤其涉及芯片势垒前的清洗工艺。提供了一种方便加工，有效去除水分，提高产品质量的芯片势垒

学习笔记（5）：《微电⼦器件》陈星弼（第四版）第2章PN 结学习笔记（5）：《微电⼦器件》陈星弼（第四版）第2章 PN 结2.2 PN 结的直流电压⽅程⼀般来说，对PN结外加正向电压为：P区接正，N区接负。在外加正电压和外加反向电压时，PN结的伏安特性不同， PN 结在正向电压下电流很⼤ ，在反向电压下电流很⼩，且不符合欧姆定律，接下来讨论产⽣这些现象的原因。2.2.1 外加电压时载流⼦的运动情况

(10)申请公布号 (43)申请公布日 2014.03.26C N  103673866A (21)申请号 201310682762.X(22)申请日 2013.12.13G01B 7/16(2006.01)(71)申请人山东大学地址250100 山东省济南市历城区山大南路27号(72)发明人林兆军  赵景涛  栾崇彪  吕元杰杨铭  周阳&nbs

摘    要本文采用基于密度泛函理论的第一性原理模拟计算方法，并结合平面波赝势方法，运用VASP软件包首先分为四个步骤优化了ZnO材料结构：(1)截断能的优化；(2)SIGMA的优化；(3)K格点的优化；(4)晶格常数的优化。为了优化原子位置，我们运用扫描法，得到一个关于晶格常数比ca和晶格常数a的势能面，而扫描势能面的最低点即与最稳定结构对应。对比五种赝势计算结果，选取和实

资料量化计算方法：是在量子力学基础上发展起来的理论物理，量子化学及相关计算，量子化学研究电子-原子核体系可用Schrdinger方程解的波函数描述，原则上Schrdinger方程保证了多电子结构中电子结构与相互作用的全面描述。分子动力学：通过允许原子和分子在一段时间内交互作用，根据已知的物理近似求解系统中所有粒子的运动方程，获知原子运动过程的图像的一种计算机模拟方法。（分子模拟的一类）分子模拟：分

有机复合导电纤维的导电机理电玉粉    复合型导电高分子的研究表明：1、导电填料颗粒，在材料中并不需要完全接触就能形成导电通道。    当导电颗粒间不相互接触时，颗粒间存在聚合物隔离层，使导电颗粒中自由电子的定向运动受到阻碍，这种阻碍可看做是有一定势能的势垒。根据量子力学的观点，对于微观粒子来说，即使其势能小于势垒的能量时，它既有被反弹的可能性也有穿过势垒的

第6章  异质结和纳米结构1、试讨论用窄禁带n型半导体和宽禁带p型半导体构成的反型异质结中的能带弯曲情况，画出能带图。答：2、仿照第4章对pn同质结的讨论方法，完成突变pn异质结接触电势差表达式（6-5）和势垒区宽度表达式（大花石上莲6-7）的推导过程。解：设p型和n型半导体中的杂质都是均匀分布的，其浓度分别为NA1和ND2。势垒区的正负空间电荷去的宽度分别为(x0-x1)=d1，(x2