(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202011561301.3(22)申请日 2020.12.25(71)申请人 杭州欧光芯科技有限 311200 浙江省杭州市大江东产业集聚区义蓬街道青六中路888号义蓬科创园1101室(72)发明人 张琬皎　龙眈　(74)专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200代理

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114293163 A(43)申请公布日 2022.04.08(21)申请号 CN202111634865.X(22)申请日 2021.12.29(71)申请人 丹阳市宝来利真空机电有限公司    地址 212300 江苏省镇江市丹阳市开发区九曲路巷工业园(72)发明人 谢学东 (74)专利代理

专利名称：太阳能电池的制造方法专利类型：发明专利发明人：刘翔，包兵兵，钟柯佳，王小磊申请号：CN202010956098.3申请日：20200911公开号：CN112271232A公开日：20210126专利内容由知识产权出版社提供摘要：本申请公开了一种太阳能电池的制造方法，包括：背面酸刻蚀抛光工序，在所述背面酸刻蚀抛光工序过程中，以预定单位量向刻蚀槽连续补充工作液，以维持所述工作液的浓度，所述工

专利名称：一种模拟五点井网微观刻蚀可视化模型专利类型：实用新型专利发明人：施雷庭，袁晨阳，叶仲斌，舒政，高源，刘尧波，杨浩申请号：CN201621177755.X申请日：20161103公开号：CN206158736U公开日：20170510专利内容由知识产权出版社提供摘要：本实用新型公开了一种模拟五点井网微观刻蚀可视化模型，包括聚光盖、底座、底座密封胶片、刻蚀玻璃片、观察玻璃片、聚光盖密封胶片、

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114566440 A(43)申请公布日 2022.05.31(21)申请号 CN202111421361.X(22)申请日 2021.11.26(71)申请人 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司    地址 310051 浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢(72)发明人 裴翔鹰 叶天爱 李长苏

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114496703 A(43)申请公布日 2022.05.13(21)申请号 CN202111297051.1(22)申请日 2021.11.04(71)申请人 上海稷以科技有限公司    地址 201100 上海市闵行区莲花南路2899号8幢2层(72)发明人 王艳良 张志强 (74)专利代理

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202011452269.5(22)申请日 2020.12.10(71)申请人 西安电子科技大学地址 710071 陕西省西安市太白南路2号(72)发明人 胡赵胜　常晶晶　林珍华　张飞娟　苏杰　张进成　郝跃　(74)专利代理机构 陕西电子工业专利中心61205代理人 王品华　李勇军(51

专利名称：一种在蓝宝石模板上生长图形化GaN的方法及一种GaN外延片专利类型：发明专利发明人：张佰君，姚婉青，杨隆坤申请号：CN201911051256.4申请日：20191031公开号：CN110783177A公开日：20200211专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明涉及半导体外延生长及器件工艺技术领域，提供了一种在蓝宝石模板上生长图形化GaN的方法及一种GaN外延片，本发明首先在蓝宝石衬

专利名称：一种晶体硅太阳能电池片扩散层的刻蚀方法专利类型：发明专利发明人：秦超，蒋健申请号：CN201110253354.3申请日：20110831公开号：CN102290491A公开日：20111221专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片扩散层的刻蚀方法，首先将已经扩散掺杂好的硅片放入管式热氧化炉中，通过化学气相沉积法在硅片的正面沉积上一层二氧化硅薄膜；将硅片放在

[19]中华人民共和国国家知识产权局[12]发明专利申请公布说明书[11]公开号CN 101192564A [43]公开日2008年6月4日[21]申请号200610118864.9[22]申请日2006.11.29[21]申请号200610118864.9[71]申请人上海华虹NEC电子有限201206上海市浦东新区川桥路1188号[72]发明人徐继寅 吕煜坤 [74]专利代理机构上海浦

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201810133707.8(22)申请日 2018.02.09(71)申请人 江苏如高第三代半导体产业研究院有限 226500 江苏省如皋市城南街道万寿南路999号(72)发明人 王善力　云峰　张思超　(74)专利代理机构 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316代理

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114520137 A(43)申请公布日 2022.05.20(21)申请号 CN202011296811.2(22)申请日 2020.11.18(71)申请人 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司    地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号(72)发明人 金根浩 周

专利名称：一种稀土掺杂氟化物上转换微米晶的定向刻蚀方法及其应用专利类型：发明专利发明人：李艳周，何承运，杨爽，游文武，李俊康，展梦辰，李艺颖，张晓敏申请号：CN202210073081.2申请日：20220121公开号：CN114426846A公开日：20220503专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开一种稀土掺杂氟化物上转换微米晶的定向刻蚀方法及其应用，属于稀土发光材料与应用技术领域，所

[19]中华人民共和国国家知识产权局[12]发明专利申请公布说明书[11]公开号CN 101372311A [43]公开日2009年2月25日[21]申请号200810222444.4[22]申请日2008.09.17[21]申请号200810222444.4[71]申请人北京大学地址100871北京市海淀区颐和园路5号[72]发明人罗葵 张大成 王兆江 李婷 田大宇 王玮 王颖 李静 [74]专

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910712619.8(22)申请日 2019.08.02(71)申请人 复旦大学地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号(72)发明人 熊诗圣　姜琴　李冬雪　(74)专利代理机构 上海正旦专利代理有限公司31200代理人 陆飞　陆尤(51)Int.Cl.H01L