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  • 制备取代并五苯的工艺
    CN200880012504.8,制备取代并五苯的工艺,本发明涉及制备取代并五苯的工艺,通过该工艺制备的新型并五苯,该新型并五苯作为半导体或电荷传输材料在包括场效应晶体管(FET)、电致发光、光伏和传感器件的光学、电光或电子器件中的用途,以及包含该新型并五苯的FET和其他半导体部件或材料。
    时间:2023-03-15  热度:18℃
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