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  • 一种用于信号放大的MOS管电阻及其偏置电路
    (19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 113359941 A(43)申请公布日 2021.09.07(21)申请号 CN202110579129.2(22)申请日 2021.05.26(71)申请人 清华大学    地址 100084 北京市海淀区清华园(72)发明人 余占清 张伟 牟亚 陈世萍 严鑫 (74)专利代理机构 1159
    时间:2024-01-07  热度:13℃
  • 无桥PFC电路说明
    氮化镓 (GaN)技术由于其出的开关特性和不断提升的品质,近期逐渐得到了电力转换应用的青睐。具有低寄生电容和零反向恢复的安全GaN可实现更高的开关频率和效率,从而为全新应用和拓扑选项打开了大门。连续传导模式 (CCM)图腾柱PFC就是一个得益于GaN优点的拓扑。与通常使用的双升压无桥PFC拓扑相比,CCM图腾柱无桥PFC能够使半导体开关和升压电感器的数量减半,同时又能将峰值效率推升到95%以上。
    时间:2023-10-14  热度:11℃
  • 共源共栅两级运放的三种补偿结构分析和比较
    共源共栅两级运放的三种补偿结构分析和比较胡利志;乔明【摘 要】提出了三种应用于两级CMOS运算放大器的米勒电容补偿结构,分析了三种结构的小信号等效电路,得到传递函数和零点、极点的位置,以此分析和实现三种结构的频率补偿。其中两种共源共栅米勒补偿结构与直接米勒补偿结构相比,能用更小的芯片面积实现更优的运放性能,得到更大的单位增益带宽积和相位裕度,实现更好的频率特性。通过使用0.18μm CMOS工艺对
    时间:2023-06-03  热度:43℃
  • 自偏置共源共栅电流镜
    自偏置共源共栅电流镜    自偏置共源共栅电流镜是一种常用的电路元件,主要用于放大和调节电流信号。它由两个晶体管组成,其中一个晶体管作为源极负载,而另一个晶体管则作为放大器的输入端。此电路的工作原理是,晶体管的源极与栅极之间形成一个反馈回路,使得电流得以对源极和栅极之间的电压进行调节。当电路工作时,源极负载会输出一定的电流信号,同时经过共源共栅电流镜的放大作用,最终输出到负载处
    时间:2023-05-09  热度:38℃
  • 自偏置共源共栅电流镜
    自偏置共源共栅电流镜    自偏置共源共栅电流镜是一种常用的电路元件,主要用于放大和调节电流信号。它由两个晶体管组成,其中一个晶体管作为源极负载,而另一个晶体管则作为放大器的输入端。此电路的工作原理是,晶体管的源极与栅极之间形成一个反馈回路,使得电流得以对源极和栅极之间的电压进行调节。当电路工作时,源极负载会输出一定的电流信号,同时经过共源共栅电流镜的放大作用,最终输出到负载处
    时间:2023-05-09  热度:61℃
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