技术应用科学大众·Popular Science2019年3月光刻胶中国专利技术分析国家知识产权局专利局专利审查协作湖北中心    李椰，刘媛摘  要：文章以光刻胶为主题，检索了中国截至2019年5月公开的全部专利，重点分析了光刻胶中国区域申请量状况、具体地域分布、重点申请人情况、重点发明人状况以及光刻胶在中国区域的法律状态。通过对中国地区光刻胶专利技术梳理、分析，

一．工艺流程简述： 前段工位： ITO 玻璃的投入（grading）—— 玻璃清洗与干燥（CLEANING）——涂光刻胶（PR COAT）——前烘烤（PREBREAK）——曝光（DEVELOP） 显影（MAIN CURE）——蚀刻（ETCHING）—— 去膜（STRIP CLEAN）—— 图检（INSP）——清洗干燥（CLEAN）——TOP 涂布（TOP COAT）—— UV 烘烤（UV CURE

一．工艺流程简述：前段工位：ITO 玻璃的投入（grading）—— 玻璃清洗与干燥（CLEANING）——涂光刻胶（PR COAT）——前烘烤（PREBREAK）——曝光（DEVELOP） 显影（MAIN CURE）——蚀刻（ETCHING）—— 去膜（STRIP CLEAN）—— 图检（INSP）——清洗干燥（CLEAN）——TOP 涂布（TOP COAT）——UV 烘烤（UV CURE）——

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114566427 A(43)申请公布日 2022.05.31(21)申请号 CN202011355394.4(22)申请日 2020.11.27(71)申请人 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司    地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号(72)发明人 南兑浩 李

专利名称：一种制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法专利类型：发明专利发明人：刘必秋，毛智彪，甘志锋申请号：CN201510547788.2申请日：20150831公开号：CN105159031A公开日：20151216专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，首先提供一表面具有高度梯度的晶圆模板，其中，晶圆模板被划分为至少两个不同表面高度的区域，区

专利名称：一种光刻胶清洗剂专利类型：发明专利发明人：史永涛，彭洪修，曹慧英，刘兵，曾浩申请号：CN200710043555.4申请日：20070706公开号：CN101339368A公开日：20090107专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种光刻胶清洗剂，其含有：季铵氢氧化物、水、烷基二醇芳基醚、二甲基亚砜和聚羧酸类缓蚀剂；烷基二醇芳基醚中烷基二醇的碳原子数目为3～18。本发明的光刻

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114236981 A(43)申请公布日 2022.03.25(21)申请号 CN202111398974.6(22)申请日 2021.11.24(71)申请人 苏州博洋化学股份有限公司    地址 215000 江苏省苏州市高新区浒墅关镇华桥路155号(72)发明人 李华平 陈浩 王润杰 (7

专利名称：芯片用光刻胶及光刻工艺专利类型：发明专利发明人：王锦平，王杰申请号：CN201811073003.2申请日：20180914公开号：CN110908240A公开日：20200324专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明提供一种芯片用光刻胶，包括试剂A和试剂B，其中试剂A组成为紫外负性光刻胶，以试剂A液体紫外负性光刻胶中的固体总重量为基准，各组分及其重量百分比为环化橡胶75～85％，交联

(10)申请公布号 (43)申请公布日 2013.10.02C N  103336412 A (21)申请号 201310276907.6(22)申请日 2013.07.03G03F 7/42(2006.01)(71)申请人北京科华微电子材料有限101312 北京市顺义区竺园路4号(天竺综合保税区)申请人北京科华丰园微电子科技有限公司(72)发明人李冰  陈昕 

专利名称：量子点光刻胶、由其获得的量子点发光层、包含该量子点发光层的QLED及其制备和应用专利类型：发明专利发明人：邹应全，肖正君，辛阳阳申请号：CN201910485642.8申请日：20190605公开号：CN112051709A公开日：20201208专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明涉及一种适于光刻制备具有纳米级厚度的量子点发光层的量子点光刻胶，该光刻胶包含光刻胶母液、具有硫醇表面配

LTPS工艺中光刻胶与膜层粘附力的研究剧永波;孙宏伟;白贺鹏;陈建军;张宸铭;简月圆;熊正平;张龙泉;赵东升;罗少先;刘昊【摘 要】In this paper, four factors have been experimented and analyzed theoretically,which will influence the adhesion between photoresist an

无尘车间净化对湿度控制的知识大全湿度控制是无尘车间生产必需具备的重要条件，相对湿度是无尘车间、洁净室运作过程中一个常用的环境控制条件。半导体无尘车间、洁净室中的典型的相对湿度的目标值大约控制在30至50%的范围内，允许误差在±1%的狭窄的范围内，例如光刻区或者在远紫外线处理(DUV)区甚至更小而在其他地方则可以放松到±5%的范围内。近年，在这些规定范围中保持处理空气过程，相对湿度有一系列可能使洁净

剥离液废液初步研究报告科里奥利力一、剥离液概述随着国内电子制造产业和光电产业的迅速发展，光刻胶剥离液等电子化学品的使用量也大为増加。特别是纵观近几年度的光电行业，风靡全球的智能手持设备、移动终端等简直成为了光电行业的风向标：与之相关的光电领域得到了飞速的发展，镜头模组、滤光片、LTPS液晶显示面板、触摸屏幕、传感器件等等。而光电行业的其他领域，虽然也有增长，但是远不及与智能手持设备相关的光电领域。

2023半导体涨价概念股   半导体光刻胶概念龙头股有：  彤程新材603650：  半导体光刻胶龙头股。9月9日，彤程新材收盘跌2.88%，报于33.67。当日最高价为34.76元，最低达33.12元，成交量7.22万手，总市值为200.71亿元。市场经济的特征  9月9日消息，彤程新材资金净流出1144.52万元，超大单资金净流出261.35万元，换手率

光刻机概念腓骨小头    光刻机是一种用于微电子制造的重要设备，通常用于制造集成电路、光学元件和微机械系统等微纳技术领域。光刻技术的发展，对于推动微电子产业的发展、提高芯片制造工艺的精度和效率、实现微纳加工等方面具有重要意义。    光刻机的基本原理是利用光学系统将光源产生的光线投射到光刻胶层上，通过光刻胶层的光化学反应，在光刻胶层上形成所需的图形，然后通过