HVMOSFET 的EAS 机理EAS—Energy during avalanche for single pulse,即单脉冲雪崩击穿能量,是高压VDMOS 的一个重要性能指标,其反映的是器件由工作状态到关断时,器件能承受的最大能量消耗。EAS=1/2×V BS ×I AS ×t A V 。一.EAS 产生的原因如图1(a)是一N 沟道VDMOS 的元胞剖面图,1(b)是对应的等效电路图。D图
HVMOSFET 的EAS 机理EAS—Energy during avalanche for single pulse,即单脉冲雪崩击穿能量,是高压VDMOS 的一个重要性能指标,其反映的是器件由工作状态到关断时,器件能承受的最大能量消耗。EAS=1/2×V BS ×I AS ×t A V 。一.EAS 产生的原因如图1(a)是一N 沟道VDMOS 的元胞剖面图,1(b)是对应的等效电路图。D图
2021年2月电工技术学报Vol.36 No. 4 第36卷第4期TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Feb. 2021DOI: 10.19595/s.191758高压大电流(4 500V/600A)IGBT芯片研制刘国友1,2黄建伟1,3覃荣震1,3朱春林1,3