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体液收集装置及相关方法[发明专利]
专利名称:体液收集装置及相关方法专利类型:发明专利发明人:艾米丽·韦尔奇,艾伦·海耶斯,欧文·贝尔蒂尔,杰克·梅亚,本·卡萨翁申请号:CN202080076703.6申请日:20200828公开号:CN114630619A公开日:20220614专利内容由知识产权出版社提供摘要:本文公开了用于从患者抽出体液的装置和方法。在一些实施例中,手持式装置可包括具有开口的壳体,以及位置至少部分地设置在该壳体
时间:2024-03-25 热度:11℃
一种自带偏置的低电压比较器
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114448424 A(43)申请公布日 2022.05.06(21)申请号 CN202210046373.7(22)申请日 2022.01.14(71)申请人 电子科技大学 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号(72)发明人 廖永波 刘玉婷 刘仰猛 (74)专
时间:2024-03-14 热度:6℃
滚筒式洗衣机[发明专利]
专利名称:滚筒式洗衣机专利类型:发明专利发明人:福井孝司,中川谦治,中村哲,竹内晴美,船用顺久申请号:CN02121952.4申请日:20020528公开号:CN1388284A公开日:20030101专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明涉及一种滚筒式洗衣机。它提供一种具有低成本而可靠性高的平衡调整用的平衡器,以消除离心脱水时因洗涤物偏置所致的振动。在滚筒(6)后面板(6d)后部装有平衡器(2
时间:2024-03-12 热度:16℃
用于过程变化和电源调制的准确偏置跟踪[发明专利]
专利名称:用于过程变化和电源调制的准确偏置跟踪专利类型:发明专利发明人:P·B·伦格,N·K·K·玛尼姆申请号:CN201180062253.6申请日:20111220公开号:CN103270465A公开日:20130828专利内容由知识产权出版社提供摘要:一种电流镜包括偏置支路,偏置支路包括:在电压源与接地之间串联的第一晶体管和第二晶体管;在电压源与接地之间耦合的分压器;以及运算放大器,被配置为
时间:2024-03-05 热度:8℃
接地检测电路及方法[发明专利]
专利名称:接地检测电路及方法专利类型:发明专利发明人:曲强,吴志友,张广远,刘锐申请号:CN201611020859.4申请日:20161121公开号:CN106597190A公开日:20170426专利内容由知识产权出版社提供摘要:本申请提供一种接地检测电路及方法,接地检测电路包括并联连接的斩波电路、中间直流回路与逆变器电路,以及电压传感器和处理芯片,中间直流回路包括并联连接的偏置式分压电阻检测
时间:2024-02-06 热度:9℃
一种自偏置磁电复合材料结构及其装配方法[发明专利]
专利名称:一种自偏置磁电复合材料结构及其装配方法专利类型:发明专利发明人:井文奇,杜逸飞,张涛,魏洪峰,田智立,李卓达,夏雅男,刘雷波申请号:CN202011317195.4申请日:20201123公开号:CN112490350A公开日:20210312专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明涉及磁电复合材料结构技术领域,尤其涉及一种自偏置磁电复合材料结构及其装配方法。该自偏置磁电复合材料结构包括
时间:2024-02-06 热度:14℃
一种自带偏置的低电压比较器[发明专利]
专利名称:一种自带偏置的低电压比较器专利类型:发明专利发明人:廖永波,刘玉婷,刘仰猛申请号:CN202210046373.7申请日:20220114公开号:CN114448424A公开日:20220506专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明适用于集成电路技术,提供了一种自带偏置的低电压比较器,该电路的结构非常简单,一共包括六个MOS管,其中三个MOS管使得参考电压充当电路的偏置电压,结合另外三
时间:2024-01-26 热度:25℃
枢转机构[发明专利]
专利名称:枢转机构专利类型:发明专利发明人:今城卓申请号:CN200580045763.7申请日:20051213公开号:CN101094777A公开日:20071226专利内容由知识产权出版社提供摘要:无论可移动本体枢转的角度位置,枢转可移动本体所需要的操作力都能维持基本上恒定。枢转机构(翻倒机构10A)包括固定在所要求位置的地板侧构件(B)、通过铰接联接与地板侧构件(B)联接以可在预定角度范围
时间:2024-01-20 热度:12℃
一种高功率增益高回退效率功率放大器[发明专利]
专利名称:一种高功率增益高回退效率功率放大器专利类型:发明专利发明人:羊洪轮,王测天,邬海峰,滑育楠,吕继平,胡柳林,童伟申请号:CN202011033148.7申请日:20200927公开号:CN111934633A公开日:20201113专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明公开了一种高功率增益高回退效率功率放大器,包括功率分配网络、输入匹配网络、三路推放管芯、级间匹配网络、三路末级管芯、输
时间:2024-01-16 热度:20℃
一种适用于定频Buck扩频模式的三角调制波产生电路[发明专利]
专利名称:一种适用于定频Buck扩频模式的三角调制波产生电路专利类型:发明专利发明人:明鑫,邝建军,宫新策,邹锐恒,熊进,王卓,张波申请号:CN202210242826.3申请日:20220311公开号:CN114629344A公开日:20220614专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明属于电源管理技术领域,具体涉及一种适用于定频Buck扩频模式的三角调制波产生电路。本发明的电路包括偏置电路,
时间:2024-01-12 热度:24℃
运算放大器以及采样及放大电路[发明专利]
专利名称:运算放大器以及采样及放大电路专利类型:发明专利发明人:詹明韬,揭路,孙楠申请号:CN202210137368.7申请日:20220215公开号:CN114553159A公开日:20220527专利内容由知识产权出版社提供摘要:本公开涉及一种运算放大器以及采样及放大电路,运算放大器包括第一级电路,用于根据第一输入信号和共模反馈信号,得到第一输出信号,所述第一输出信号输出到分裂电容时产生第一
时间:2024-01-12 热度:17℃
P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计探头的差分工作电路技术
第39卷第1期2021年2月辐射研究与辐射工艺学报J.Radiat.Res.Radiat.Process.www.j.sinap.ac/fushe/CN/volumn/home.shtmlV ol.39 No.1February2021P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计探头的差分工作电路技术王思源1,2孙静2陆妩1,21(新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830002)2(
时间:2023-11-24 热度:27℃
mosfet的偏置条件和栅极阈值电压
mosfet的偏置条件和栅极阈值电压MOSFET(场效应管)是一种常见的半导体器件,广泛应用于电子电路中的放大器、开关和电源等领域。为了使 MOSFET 正常工作,需要确定其偏置条件和栅极阈值电压。下面我们将详细介绍这两个关键参数。一、偏置条件偏置条件是 MOSFET 的基本工作状态,决定了它的工作特性和性能。 MOSFET 常用的偏置方法有以下几种:阈值电压1. 静态偏置静态偏置又称稳态偏置,指
时间:2023-11-24 热度:26℃
mos管的阈值电压做参考的自偏置电流源
mos管的阈值电压做参考的自偏置电流源多德弗兰克法案>tuodu海上巨眼Mos管是一种半导体器件,它具有放大作用和开关作用,常用于电子设备中。在Mos管的工作过程中,阈值电压是一个非常关键的参数,它决定了Mos管是否能够正常工作。为了得到更加准确的阈值电压值,人们经常使用自偏置电流源来进行参考。阈值电压自偏置电流源主要是指由电阻、二极管和晶体管等元件组成的一个电路,这个电路的主要作用就是产生一个稳
时间:2023-11-24 热度:29℃
一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计
一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计王常;吴震;邓朝勇【摘 要】利用RC高通电路的思想,针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构.该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度,而且瞬态增强电路工作的过程中,系统的功耗并没有增加.此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μmCMOS混合信号工艺.仿真结果表明:整个LDO是静态电流为3.2μA;相位裕度保持在90.19°以上;在电源电压为1.8 V
时间:2023-11-14 热度:17℃
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