专利名称：体液收集装置及相关方法专利类型：发明专利发明人：艾米丽·韦尔奇，艾伦·海耶斯，欧文·贝尔蒂尔，杰克·梅亚，本·卡萨翁申请号：CN202080076703.6申请日：20200828公开号：CN114630619A公开日：20220614专利内容由知识产权出版社提供摘要：本文公开了用于从患者抽出体液的装置和方法。在一些实施例中，手持式装置可包括具有开口的壳体，以及位置至少部分地设置在该壳体

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114448424 A(43)申请公布日 2022.05.06(21)申请号 CN202210046373.7(22)申请日 2022.01.14(71)申请人 电子科技大学    地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号(72)发明人 廖永波 刘玉婷 刘仰猛 (74)专

专利名称：滚筒式洗衣机专利类型：发明专利发明人：福井孝司，中川谦治，中村哲，竹内晴美，船用顺久申请号：CN02121952.4申请日：20020528公开号：CN1388284A公开日：20030101专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明涉及一种滚筒式洗衣机。它提供一种具有低成本而可靠性高的平衡调整用的平衡器，以消除离心脱水时因洗涤物偏置所致的振动。在滚筒(6)后面板(6d)后部装有平衡器(2

专利名称：用于过程变化和电源调制的准确偏置跟踪专利类型：发明专利发明人：P·B·伦格,N·K·K·玛尼姆申请号：CN201180062253.6申请日：20111220公开号：CN103270465A公开日：20130828专利内容由知识产权出版社提供摘要：一种电流镜包括偏置支路，偏置支路包括：在电压源与接地之间串联的第一晶体管和第二晶体管；在电压源与接地之间耦合的分压器；以及运算放大器，被配置为

专利名称：接地检测电路及方法专利类型：发明专利发明人：曲强，吴志友，张广远，刘锐申请号：CN201611020859.4申请日：20161121公开号：CN106597190A公开日：20170426专利内容由知识产权出版社提供摘要：本申请提供一种接地检测电路及方法，接地检测电路包括并联连接的斩波电路、中间直流回路与逆变器电路，以及电压传感器和处理芯片，中间直流回路包括并联连接的偏置式分压电阻检测

专利名称：一种自偏置磁电复合材料结构及其装配方法专利类型：发明专利发明人：井文奇，杜逸飞，张涛，魏洪峰，田智立，李卓达，夏雅男，刘雷波申请号：CN202011317195.4申请日：20201123公开号：CN112490350A公开日：20210312专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明涉及磁电复合材料结构技术领域，尤其涉及一种自偏置磁电复合材料结构及其装配方法。该自偏置磁电复合材料结构包括

专利名称：一种自带偏置的低电压比较器专利类型：发明专利发明人：廖永波，刘玉婷，刘仰猛申请号：CN202210046373.7申请日：20220114公开号：CN114448424A公开日：20220506专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明适用于集成电路技术，提供了一种自带偏置的低电压比较器，该电路的结构非常简单，一共包括六个MOS管，其中三个MOS管使得参考电压充当电路的偏置电压，结合另外三

专利名称：枢转机构专利类型：发明专利发明人：今城卓申请号：CN200580045763.7申请日：20051213公开号：CN101094777A公开日：20071226专利内容由知识产权出版社提供摘要：无论可移动本体枢转的角度位置，枢转可移动本体所需要的操作力都能维持基本上恒定。枢转机构(翻倒机构10A)包括固定在所要求位置的地板侧构件(B)、通过铰接联接与地板侧构件(B)联接以可在预定角度范围

专利名称：一种高功率增益高回退效率功率放大器专利类型：发明专利发明人：羊洪轮，王测天，邬海峰，滑育楠，吕继平，胡柳林，童伟申请号：CN202011033148.7申请日：20200927公开号：CN111934633A公开日：20201113专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种高功率增益高回退效率功率放大器，包括功率分配网络、输入匹配网络、三路推放管芯、级间匹配网络、三路末级管芯、输

专利名称：一种适用于定频Buck扩频模式的三角调制波产生电路专利类型：发明专利发明人：明鑫，邝建军，宫新策，邹锐恒，熊进，王卓，张波申请号：CN202210242826.3申请日：20220311公开号：CN114629344A公开日：20220614专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明属于电源管理技术领域，具体涉及一种适用于定频Buck扩频模式的三角调制波产生电路。本发明的电路包括偏置电路，

专利名称：运算放大器以及采样及放大电路专利类型：发明专利发明人：詹明韬，揭路，孙楠申请号：CN202210137368.7申请日：20220215公开号：CN114553159A公开日：20220527专利内容由知识产权出版社提供摘要：本公开涉及一种运算放大器以及采样及放大电路，运算放大器包括第一级电路，用于根据第一输入信号和共模反馈信号，得到第一输出信号，所述第一输出信号输出到分裂电容时产生第一

第39卷第1期2021年2月辐射研究与辐射工艺学报J.Radiat.Res.Radiat.Process.www.j.sinap.ac/fushe/CN/volumn/home.shtmlV ol.39 No.1February2021P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计探头的差分工作电路技术王思源1,2孙静2陆妩1,21（新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830002）2（

mosfet的偏置条件和栅极阈值电压MOSFET（场效应管）是一种常见的半导体器件，广泛应用于电子电路中的放大器、开关和电源等领域。为了使 MOSFET 正常工作，需要确定其偏置条件和栅极阈值电压。下面我们将详细介绍这两个关键参数。一、偏置条件偏置条件是 MOSFET 的基本工作状态，决定了它的工作特性和性能。 MOSFET 常用的偏置方法有以下几种：阈值电压1. 静态偏置静态偏置又称稳态偏置，指

mos管的阈值电压做参考的自偏置电流源多德弗兰克法案>tuodu海上巨眼Mos管是一种半导体器件，它具有放大作用和开关作用，常用于电子设备中。在Mos管的工作过程中，阈值电压是一个非常关键的参数，它决定了Mos管是否能够正常工作。为了得到更加准确的阈值电压值，人们经常使用自偏置电流源来进行参考。阈值电压自偏置电流源主要是指由电阻、二极管和晶体管等元件组成的一个电路，这个电路的主要作用就是产生一个稳

一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计王常;吴震;邓朝勇【摘 要】利用RC高通电路的思想,针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构.该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度,而且瞬态增强电路工作的过程中,系统的功耗并没有增加.此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μmCMOS混合信号工艺.仿真结果表明:整个LDO是静态电流为3.2μA;相位裕度保持在90.19°以上;在电源电压为1.8 V