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一种用于退偏器退偏性能高精度检测的光学系统[实用新型专利]
专利名称:一种用于退偏器退偏性能高精度检测的光学系统专利类型:实用新型专利发明人:曹恩达,于勇,赵一鸣,李飞申请号:CN201922066322.7申请日:20191126公开号:CN211262667U公开日:20200814专利内容由知识产权出版社提供摘要:一种用于退偏器退偏性能高精度检测的光学系统,包括光源、检测光路系统、退偏器放置平台、功率计以及波长计五部分;光源发射激光经检测光路透射被检
时间:2024-02-26 热度:5℃
用椭偏仪测量薄膜厚度
实验 用椭偏仪测量薄膜厚度在半导体平面工艺中,SiO 2薄膜是不可缺少的重要材料。它既可以被作为杂质掩蔽、表面钝化和器件的电隔离材料,也可以用作电容器的介质和MOS 管的绝缘栅介质等。无论SiO 2膜用作哪一种用途的材料,都必须准确的测定和控制它的厚度。另外,折射率也是表征SiO 2膜性质的重要参数之一,因此我们必须掌握SiO 2膜厚及其折射率的测量方法。通常测定薄模厚度的方法有比法
时间:2023-08-08 热度:12℃
椭偏仪实验报告电子版
椭偏仪实验报告04级11系 姓名:徐文松 学号:PB04210414 日期:2006.05.19CONTENTS OF THIS REPORT(Click while press CTRL to locate it)实验名称实验目的实验原理实验步骤实验数据实验讨论思考题实验名称 return椭偏仪测量薄膜厚度和折射率实验目的 return1. 了解椭偏仪测
时间:2023-08-08 热度:11℃
椭偏仪测折射率和薄膜厚度
物 理 实 验 报 告实验名称: 椭偏仪测折射率和薄膜厚度 学院: xx学院 专业班级: xxx 学号: xxx 梅森素数学生姓名: xxx 实验成绩实验预习题 &nbs
时间:2023-08-08 热度:10℃
光谱椭偏仪技术-原理及应用(第三章)
光谱椭偏仪技术-原理及应⽤(第三章)请不要转载⽬前关于椭偏仪设备及应⽤技术的专门中⽂专著还很难到,因此尝试对Hiroyuki Fujiwara 先⽣的《SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY:Principles and Applications 》这边书进⾏翻译,供需要的⼈参考。因为⽔平有限,错误在所难免,请批评指正。 此外,翻译过程皆个⼈⾏为,不产⽣商业利益,如果和原著存在版权
时间:2023-08-08 热度:11℃
椭偏仪教学提纲
椭偏仪实验题目:椭偏仪实验目的:利用传统的消光法测量椭偏参数,使学生掌握椭偏光法的基本原理、仪器的使用,并且实际测量玻璃衬底上薄膜的厚度和折射率。实验原理:见预实验报告。霍尔效应实验步骤:1、调节仪器共轴。调节激光与椭偏仪两个光道共轴,具体步骤为取四个中间有小孔的塑料塞,塞在椭偏仪的两个平行光管筒的四个孔上,用激光射向平行光管筒,使激光穿过四个塑料塞的小孔,尽量使四个塑料塞上没有红光,即激光全部从
时间:2023-08-08 热度:11℃
椭偏仪
椭偏仪实验目的,实验原理:详见实验预习报实验内容:1、调节载物台水平、光路共轴;2、定位起偏器、检偏器、调整偏振片;3、本次实验选取的是4号样本,其中膜厚度理论值:d=440nm一个人对话折射率理论值:n=2.0将待测样品放置在载物台,调整望远镜筒至320o,开始测量:(1)将波片于起偏器的夹角调整至45o,测得光线最暗时检偏器和起偏器的角度,如下表所示:(2)将波片于起偏器的夹角调整至315o,
时间:2023-08-08 热度:12℃
用椭偏仪测量薄膜厚度
实验 用椭偏仪测量薄膜厚度在半导体平面工艺中,SiO 2薄膜是不可缺少的重要材料。它既可以被作为杂质掩蔽、表面钝化和器件的电隔离材料,也可以用作电容器的介质和MOS 管的绝缘栅介质等。无论SiO 2膜用作哪一种用途的材料,都必须准确的测定和控制它的厚度。另外,折射率也是表征SiO 2膜性质的重要参数之一,因此我们必须掌握SiO 2膜厚及其折射率的测量方法。通常测定薄模厚度的方法有比法
时间:2023-11-03 热度:10℃
大学物理实验《偏振光的观测与研究》
实验 偏振光的观测与研究偏振光的理论意义和价值是,证明了光是横波。同时,偏振光在很多技术领域得到了广泛的应用。如偏振现象应用在摄影技术中可大大减小反射光的影响,利用电光效应制作电光开关等。【实验目的】1.通过观察光的偏振现象,加深对光波传播规律的认识。2.掌握偏振光的产生和检验方法。3.观察布儒斯特角及测定玻璃折射率。4.观测圆偏振光和椭圆偏振光。【实验仪器】光具座、激光器、光点检流计、起偏器、
时间:2023-07-28 热度:15℃
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