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天通卫星物联网终端低功耗唤醒时钟预补偿装置及方法
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114025421 A(43)申请公布日 2022.02.08(21)申请号 CN202111332635.8(22)申请日 2021.11.11(71)申请人 中国电子科技集团公司第五十四研究所 地址 050081 河北省石家庄市中山西路589号第五十四所卫通部(72)发明人 周微 张庆
时间:2024-06-06 热度:7℃
一种低功耗电磁阀调节电路[实用新型专利]
专利名称:一种低功耗电磁阀调节电路专利类型:实用新型专利发明人:田中山,刘胜,杨昌,牛道东,石保虎,林源文,何俊申请号:CN201821681763.7申请日:20181017公开号:CN208845842U公开日:20190510专利内容由知识产权出版社提供摘要:本实用新型提供一种低功耗电磁阀调节电路,包括降压电路、复位电路、分频电路、与门电路和控制电路,所述降压电路分别为所述复位电路、所述分
时间:2024-05-29 热度:11℃
一种低功耗奶牛瘤胃pH值和温度值无线监测装置[发明专利]
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010256850.3(22)申请日 2020.04.02(71)申请人 西北农林科技大学地址 712100 陕西省咸阳市杨凌示范区西农路22号(72)发明人 庄蒲宁 赵继政 石富磊 宋怀波 史颍刚 (51)Int.Cl.A61B 5/00(2006.01)A61B&n
时间:2024-04-29 热度:19℃
一种可用于物联网的无线换挡力检测传感器[发明专利]
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910634618.6(22)申请日 2019.07.15(71)申请人 中机生产力促进中心地址 100044 北京市海淀区首体南路2号(72)发明人 吴哲 张敬彩 韩伟 曹科 弓宇 靳松 董少甫 朱兆林 张旺 (51)Int.Cl.G01L 5/1627(2020.0
时间:2024-03-09 热度:23℃
低功耗电池电量检测电路[发明专利]
(10)申请公布号 (43)申请公布日 2013.07.10C N 103197249 A (21)申请号 201210004336.6(22)申请日 2012.01.06G01R 31/36(2006.01)(71)申请人安凯(广州)微电子技术有限510663 广东省广州市科学城科学大道182号创新大厦C1区3楼(72)发明人杨建明 胡胜发(74)专利代理机构深圳
时间:2024-02-03 热度:18℃
...匹配唤醒的低功耗芯片架构及唤醒方法[发明专利]
专利名称:利用I2C地址匹配唤醒的低功耗芯片架构及唤醒方法专利类型:发明专利发明人:佘磊申请号:CN202010827718.3申请日:20200817公开号:CN112148662A公开日:20201229专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明涉及集成电路技术领域,具体涉及一种利用I2C地址匹配唤醒的低功耗芯片架构及唤醒方法,包括:实现片上系统主要功能的PD_SOC电源域;实现整体的上下电、各
时间:2024-01-29 热度:8℃
一种电子价签系统的低功耗实现方法[发明专利]
专利名称:一种电子价签系统的低功耗实现方法专利类型:发明专利发明人:陈锦成,杨华伟,冯智焘,伍平亮申请号:CN201910075674.0申请日:20190125公开号:CN109788510A公开日:20190521专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明公开了一种电子价签系统的低功耗实现方法,通过价签节点的主动请求,及服务器被动地响应节点的请求来实现数据的管理,以价签主动唤醒、主动请求的方
时间:2024-01-09 热度:13℃
mos管亚阈值gm
咸潮入侵mos管亚阈值gm阈值电压氯己定番禺区电信宽带MOS管亚阈值gm是指当金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极电压低于阈值电压时,其电流增益系数gm的值。在这种情况下,MOSFET的工作方式为三极管放大器,而非MOSFET的本质放大器。亚阈值gm通常是指当栅极电压低于阈值电压0.5倍时的电流增益系数。MOS管亚阈值gm的大小对于MOSFET 的放大器应用非常重要,特别是在低电平信号放
时间:2023-11-24 热度:35℃
SoC低功耗设计技术发展综述
SoC低功耗设计技术发展综述张志敏常晓涛摘要本文系统地总结了当前系统级芯片(SoC)低功耗技术的基础研究内容、主流的低功耗设计技术;针对未来超深亚微米(0.13微米以下)工艺条件下漏电功耗将占主要部分,分析了一种可以有效降低静态功耗的IVC1技术,并提出系统的多层次立体交叉动态低功耗技术的调度思想。关键词SoC,低功耗设计,功耗评估,输入向量控制1 引言自20世纪90年代后期SoC(S
时间:2023-11-24 热度:24℃
高压差低功耗小电流ldo芯片
高压差低功耗小电流ldo芯片一、引言低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,简称LDO)是一种常用的电子元件,用于将输入电压稳定至要求的输出电压。高压差低功耗小电流LDO芯片是LDO技术的一项重要发展,本文将深入探讨其原理、应用以及现阶段的发展方向。二、高压差低功耗小电流LDO芯片的原理高压差低功耗小电流LDO芯片的原理主要包括三个方面:高压差放大器、低功耗设计和小电流调节。
时间:2023-11-14 热度:25℃
薄膜晶体管发展历程
薄膜晶体管发展历程 薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor,TFT)是一种半导体器件,它具有高速、低功耗、高可靠性等优点,在今天的液晶显示器、触摸屏、平板电视等电子产品中得到了广泛应用。薄膜晶体管的发展历程可以追溯到20世纪60年代。佛山金马影剧院 早期的TFT是通过化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)等技术制备的非晶硅薄膜
时间:2023-11-06 热度:19℃
基于NB-IoT的透传DTU设计
2021年7月安阳工学院学报第20卷第4期(总第112期)Joumal o£Anyang Institute of TechnologyJuly,2021 Vol.20No.4(Gen.No.ll2)D01:10.19329/jki.l673-2928.2021.04.010基于NB-IoT的透传DTU设计郭丽霞,吴新峰(安阳工学院电子信息与电气工程学院,河南安阳455000)摘要:在很多行
时间:2023-10-14 热度:16℃
基于STM32和WH
基于STM32和WH STM32L系列的MCU具有丰富的外设、强大的性能并拥有极致的低功耗模式,在低功耗的场景中被广泛运用。但STM32L的通信外设必须经过物理连接,这无疑会增加布网成本,而在分散式的物联网领域中尤为突出。摇滚年 LPWAN(低功耗广域网)技术的兴起恰好为其提供了合适的解决方案,NB-IoT作为LPWAN的新秀具有四大特点:过继转移 一、广覆盖,将提供改进的室内覆盖,在同样的频段下
时间:2023-10-14 热度:23℃
满足低功耗物联网数据传输刚需的串口WiFi模块介绍
根管测量仪满足低功耗物联网数据传输刚需的串口WiFi模块介绍随着工业和的进展提速,开发人员开头寻求为网络边间处理应用实现衔接、提供数据透传的WiFi模块。为了顺应这种趋势,这种需要能够满足UART接口数据透亮 传输的低功耗模块。本篇SKYLAB君就以低功耗串口WiFi模块的优势特性为切入点,容易介绍几款满足低功耗物联网数据传输刚需的串口WiFi模块。计算机研究与发展SK
时间:2023-10-14 热度:19℃
zigbee低功耗透传,真正的低功耗透传模块
zigbee低功耗透传,真正的低功耗透传模块核心技术:zigbee无线通信协议、低功耗透传。allyes为什么要用zigbee?益智玩具七巧板ZigBee技术是一种近距离、低复杂度、低功耗、低速率、低成本的双向无线通讯技术。主要用于距离短、功耗低且传输不高的各种电子设备之间进行数据传输。ZigBee可工作在2.4GHz、868MHz和915 MHz3个频段上,具备最高250kbit/s的数据传输速
时间:2023-10-14 热度:18℃
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