陶瓷介电常数陶瓷介电常数是一种定义材料电磁特性的参数，表示材料内在介电属性的强度。它也可以被称为极化率或介电比，用符号ε表示。陶瓷是一种多介电性材料，其介电常数随频率变化。它的介电常数一般高于常见的绝缘体，一般范围在2－10之间，有时甚至可以达到100或更高，但是低于其他介电材料，如金属盐和玻璃。陶瓷介电常数的高低取决于材料成分、烧制及结晶状态以及温度。它的介电常数与温度大小有关。随着温度升高，介

介电材料为聚四氟乙烯的介电常数  聚四氟乙烯是一种常见的介电材料，其介电常数是其重要的物理特性之一。介电常数是介电材料的电学性质之一，它描述了材料在电场中的响应能力。聚四氟乙烯的介电常数相对较低，通常在2.1到2.3之间。    介电常数是介电材料的电学性质之一，它描述了材料在电场中的响应能力。聚四氟乙烯的介电常数相对较低，通常在2.1到2.3之间。这意味着聚四氟乙烯

梁文涛 ，吕 柳 ，公茂刚 ，吕海飞 ，许小亮(中国科学技术大学 物理系 ，安徽 合肥 230026)摘    要 :    研究了不同壳层厚度 ( 0～5 . 5ML ) 的 Cd S e/ CdS 核壳量子点的一次和高次拉曼散射 , 具体分析了 CdSe 和 CdS 的表面模随着壳层厚度的变化情况 。结 果表明 , 随着壳层厚度的增加 , C d S e

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 1226538 A(43)申请公布日 1999.08.25(21)申请号 CN99102459.1(22)申请日 1999.02.23(71)申请人 株式会社村田制作所    地址 日本京都府(72)发明人 和田信之 平松隆 池田润 浜地幸生 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所 

专利名称：一种电致动拔销式保险机构专利类型：实用新型专利发明人：李响，袁长宏，冉雪磊申请号：CN201420090128.7申请日：20140228公开号：CN203719534U公开日：20140716专利内容由知识产权出版社提供摘要：本实用新型公开了一种电致动拔销式保险机构，包括外壳、移动端、拔销、弹簧、介电弹性体、电极、固定端和导线，拔销位于移动端与固定端之间，拔销的外部套有弹簧；弹簧外表面

专利名称：多层半导体集成电路结构的制作方法及其电路结构专利类型：发明专利发明人：必兰德拉·N.·阿格沃拉，康拉德·A.·巴瑞勒，郝玛兹德亚·M.·达拉，布莱特·H.·安格尔，迈克尔·莱恩，欧内斯特·莱文，刘晓虎(音译)，文森特·迈克格黑，约翰·F.·迈克格雷斯，克耐尔·E.·默里，查瓦哈·P.·纳雅克，杜·B.·恩古耶源，哈扎拉·S.·雷索，托马斯·M.·肖申请号：CN200310117999.X

宽频介电阻抗谱仪（ Broadband Dielectric Spectrometer ） 仪器厂家：德国 NOVOCONTROL 公司广西东方外语职业学院仪器型号：Concept 40高泰克斯技术指标：频率范围：3uHz～10MHz；温度范围： -160～300℃袖袖阀管仪器配置：平行板电极：20mm、xcel30mm、40mm高灵敏度分析仪温控设备： -160～400℃测试软件：WinDETA

专利名称：超导圆盘谐振器和超导滤波器专利类型：发明专利发明人：赤濑川章彦，中西辉，佐藤桂辅申请号：CN200810083669.6申请日：20080314公开号：CN101267059A公开日：20080917专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种超导圆盘谐振器和使用这种超导圆盘谐振器的超导滤波器，该超导圆盘谐振器包括：介电基底，具有介电各向异性；圆盘式超导谐振器图案，用超导材料形成于

专利名称：超导圆盘谐振器和超导滤波器专利类型：发明专利发明人：赤濑川章彦，中西辉，佐藤桂辅申请号：CN200810083669.6申请日：20080314公开号：CN101267059A公开日：20080917专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种超导圆盘谐振器和使用这种超导圆盘谐振器的超导滤波器，该超导圆盘谐振器包括：介电基底，具有介电各向异性；圆盘式超导谐振器图案，用超导材料形成于

专利名称：铁电晶体管专利类型：发明专利发明人：T·P·哈尼德,H·巴奇霍弗,E·昂格尔申请号：CN00813458.8申请日：20000915公开号：CN1376311A公开日：20021023专利内容由知识产权出版社提供摘要：在一个在半导体衬底(1)中具有两个源/漏极区(13)和一个位于其间的沟道区的铁电晶体管中，在沟道区的表面上设置了一个含有AlO的第一介电中间层(14)，在第一介电中间层(1

专利名称：一种聚酰亚胺覆铜基板专利类型：发明专利发明人：黄黎明，城野贵史申请号：CN202011589551.8申请日：20201228公开号：CN112822835A公开日：20210518专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明提供了一种聚酰亚胺覆铜基板。该铜基板包括依次叠置的铜箔、胶层和介电膜，以重量百分比计，该胶层包括60～90％的聚酰亚胺树脂和～40％的环氧树脂，该环氧树脂为三官能基环氧

专利名称：一种聚酰亚胺覆铜基板专利类型：发明专利发明人：黄黎明，城野贵史申请号：CN202011589551.8申请日：20201228公开号：CN112822835A公开日：20210518专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明提供了一种聚酰亚胺覆铜基板。该铜基板包括依次叠置的铜箔、胶层和介电膜，以重量百分比计，该胶层包括60～90％的聚酰亚胺树脂和～40％的环氧树脂，该环氧树脂为三官能基环氧

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910898116.4(22)申请日 2019.09.23(71)申请人 哈工大（威海）创新创业园有限责任 264209 山东省威海市环翠区火炬高技术产业开发区文化西路2号(72)发明人 黄博　李永泽　赵建文　(74)专利代理机构 威海科星专利事务所 37202代理人 孙小

专利名称：碳化硅的等离子体刻蚀专利类型：发明专利发明人：李思义申请号：CN02809053.5申请日：20020321公开号：CN1522465A公开日：20040818专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种以对上方和/或下方介电材料层的选择性等离子体刻蚀碳化硅的方法。介电材料可包含二氧化硅，氧氮化硅，氮化硅或各种低k介电材料包括有机低k材料。刻蚀气体包括含体如Cl，含氧气体如O，

湖南科技大学专业课程论文        论 文 题 目：对介电功能陶瓷性能的研究                      学 生 姓 名：付国良              &nb