CN201710870742.3，一种LED外延结构的制备方法，本发明公开了一种LED外延结构的制备方法，该方法本发明采用特殊工艺清洗的硅衬底，该硅衬底具有容易去除、抗辐射、热导率高、耐高温、化学性质较稳定、强度较高等优点，具有很高的可靠性，基于硅衬底的氮化镓纳米柱LED可广泛应用于高温器件；本发明方法形成的外延结构包括衬底，依次层叠形成在所述衬底的缓冲层、N型GaN层、InaGa1?aN/GaN电流扩展层、InbGa1?bN/IncGa1?cN发光层、InGaN/GaN多量子阱和P型GaN层，具有更大的