CN200910036547.6，一种LED发光二极管的发明方法，本发明公开了一种LED发光二极管的发明方法，其步骤依次如下：a.首先在衬底上制作氮化镓(GaN)基的晶圆，b.在衬底上制作核心部件LED晶体外延片，c.将制作好的LED晶体贴附到翻晶膜上并利用扩片机将晶体分开，d.在晶体上采用两步法点底胶，每步加入比例不限，再将晶体固定在底板上、烘烤后进行焊线操作，e.在硅树脂中加入荧光粉制成抗光衰原胶，混合搅拌至少25分钟，然后再加入环氧树脂胶，二次搅拌后将制得胶水点到晶片上，再利用两步温度控制法进行烘干

CN200910036547.6，一种LED发光二极管的发明方法，本发明公开了一种LED发光二极管的发明方法，其步骤依次如下：a.首先在衬底上制作氮化镓(GaN)基的晶圆，b.在衬底上制作核心部件LED晶体外延片，c.将制作好的LED晶体贴附到翻晶膜上并利用扩片机将晶体分开，d.在晶体上采用两步法点底胶，每步加入比例不限，再将晶体固定在底板上、烘烤后进行焊线操作，e.在硅树脂中加入荧光粉制成抗光衰原胶，混合搅拌至少25分钟，然后再加入环氧树脂胶，二次搅拌后将制得胶水点到晶片上，再利用两步温度控制法进行烘干