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  • 一种荧光分析方法和装置
    CN201210052167.3,一种荧光分析方法和装置,本发明涉及一种荧光分析方法和装置,具体地,本发明公开了一种定量检测待测物的检测方法和基于所述检测方法的检测装置,所述方法采用本发明的测试片,所述测试片包括:(i)可加入样品的加样区;(ii)位于加样区近端的结合区;(iii)位于结合区近端和加样区远端的测试区;和(iv)位于测试区近端和结合区远端的样品吸收区。所述方法包括步骤:(1)将待测物样品加至本发明的测试片的加样区;和(2)测量所述测试片的测试区的荧光强度,从而换算为待测物的数量。所述方法快捷
    时间:2023-04-01  热度:30℃
  • 一种荧光分析方法和装置
    CN201210051830.8,一种荧光分析方法和装置,本发明涉及一种荧光分析方法和装置,具体地,本发明公开了一种定量检测待测物的检测方法和基于所述检测方法的检测装置,所述方法采用本发明的测试片,所述测试片包括:(i)可加入样品的加样区;(ii)位于加样区近端的结合区;(iii)位于结合区近端和加样区远端的测试区;和(iv)位于测试区近端和结合区远端的样品吸收区。所述方法包括步骤:(1)将待测物样品加至本发明的测试片的加样区;和(2)测量所述测试片的测试区的荧光强度,从而换算为待测物的数量。所述方法快捷
    时间:2023-04-01  热度:37℃
  • 一种荧光分析方法和装置
    CN201210052167.3,一种荧光分析方法和装置,本发明涉及一种荧光分析方法和装置,具体地,本发明公开了一种定量检测待测物的检测方法和基于所述检测方法的检测装置,所述方法采用本发明的测试片,所述测试片包括:(i)可加入样品的加样区;(ii)位于加样区近端的结合区;(iii)位于结合区近端和加样区远端的测试区;和(iv)位于测试区近端和结合区远端的样品吸收区。所述方法包括步骤:(1)将待测物样品加至本发明的测试片的加样区;和(2)测量所述测试片的测试区的荧光强度,从而换算为待测物的数量。所述方法快捷
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