CN202110150770.4，一种硅片表面基化处理方法，本发明公开了一种硅片表面基化处理方法，其包括处理以下方式，表面羟基化、表面氨基化、表面羧基化、表面甲基化和表面醛基化，本发明具有以下有益效果，合理选取进行反应处理的溶液，以减少反应的步骤，达到了简便处理流程的有益效果；对处理的溶液采用合适的用量，以减少材料的浪费的有益效果，且流程处理的过程，合理采用处理前后的清理，以达到避免干扰因素好的有益效果。

CN202110150770.4，一种硅片表面基化处理方法，本发明公开了一种硅片表面基化处理方法，其包括处理以下方式，表面羟基化、表面氨基化、表面羧基化、表面甲基化和表面醛基化，本发明具有以下有益效果，合理选取进行反应处理的溶液，以减少反应的步骤，达到了简便处理流程的有益效果；对处理的溶液采用合适的用量，以减少材料的浪费的有益效果，且流程处理的过程，合理采用处理前后的清理，以达到避免干扰因素好的有益效果。