CN201210397550.2，一种熔融硅悬浮的硅料补充方法，本发明涉及硅晶体生长。近些年出现很多使用连续直拉法拉制硅单晶的尝试，而连续拉制过程中对张晶炉内的硅进行补充成为工艺实现的最大瓶颈。本发明提供一种熔融硅悬浮的硅料补充方法。将熔融硅利用磁悬浮原理悬浮在原料坩埚中，通过调节磁场起到阀门的开闭作用，将熔融硅连续或间歇地输送至长晶炉中进行长晶。

CN201210397550.2，一种熔融硅悬浮的硅料补充方法，本发明涉及硅晶体生长。近些年出现很多使用连续直拉法拉制硅单晶的尝试，而连续拉制过程中对张晶炉内的硅进行补充成为工艺实现的最大瓶颈。本发明提供一种熔融硅悬浮的硅料补充方法。将熔融硅利用磁悬浮原理悬浮在原料坩埚中，通过调节磁场起到阀门的开闭作用，将熔融硅连续或间歇地输送至长晶炉中进行长晶。