CN201210099756.7，一种新型的低沾染,免耗材的直拉炉设计，本发明涉及直拉法(CZ法)晶体生长法。指晶体生长的一种方法，用来获取半导体(如硅、锗、砷化镓)、金属(钯、铂、银、金)、盐，或者是合成宝石的单晶。也称切氏或者柴氏法，由波兰科学家切克劳斯基于1916年研究金属的结晶速率时发明的。本发明旨在在炉室内取消或者减少使用的石墨和碳碳复合材料，以减少像对应的各种污染。使用陶瓷非金属材料来加工直拉炉的炉室，炉膛，隔热材料或者其他位于炉室内的内件。