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  • 一种拉制单晶硅的坩埚及制备方法
    CN201410242934.6，一种拉制单晶硅的坩埚及制备方法，本发明涉及一种拉制单晶硅的坩埚及制备方法。本坩埚由(SMC)等法制作素坯，再进热处理后生成的C/SiC埚坯与电弧法制备的各种涂层组成。本法及制备的坩埚，全面优于电弧法制备的石英坩埚。
    时间：2023-04-02  热度：48℃
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    时间：2023-03-21  热度：32℃
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