CN201210143789.7，一种双面受光异质结单晶硅薄膜太阳能电池，目前单晶硅太阳电池需藉由扩散炉等高温工艺来制作，会造成高耗能的产生。此外单晶硅太阳电池于使用上对于环境温度的提升会有很大的衰竭现象(-0.5%/℃)，而非晶硅工艺流程的温度远低于单晶硅且对于温度的衰竭现象亦不若单晶硅来的严重(-0.2%/℃)，因此结合此两种技术，而形成了异质结单晶硅薄膜，其光电转换效率可使原先的单晶硅太阳电池提升至20%以上。本发明为一种可优化提升单晶硅太阳电池转化效率的新颖发明，利用非晶硅在单晶硅上面的沈积成膜搭