CN201210397560.6，一种使用悬浮拉制法制作硅单晶的方法，本发明涉及硅单晶晶体生长。对于硅单晶，传统上使用直拉去或区熔法拉制单晶。近些年，也兴起使用铸锭炉进行铸造单晶的生产。本发明提供一种使用悬浮拉制法制作硅单晶的方法，使用未经破碎的普通西门子还原法制作的多晶硅棒作为原料，利用电磁力悬浮熔融硅进行单晶制造的方法。本发明旨在发明一种低成本质量接近区熔单晶的硅单晶制造技术。