CN201210123940.0，一种使用区域连续铸造法制备区熔硅料的方法，本发明涉及区熔法(FZ法)晶体生长法。区熔(FZ)法指晶体生长的一种方法，又称悬浮区熔法，用来获取半导体如硅锗，砷化镓等的单晶。同其他晶体生长方法相比，区熔生长仅能使用西门子还原炉经过特殊工艺生产的柱状原料多晶硅，全球仅有有限的工厂提供极少产量的该种区熔多晶硅料，使得区熔方法未能如其他硅晶体生长方法一样得到普及。但是区熔法相较于其他晶体生长方法可以提供极低污染的硅单晶，在晶体质量上的优势无可比拟。本发明提供一种使用区域连续铸造法，

CN201210123940.0，一种使用区域连续铸造法制备区熔硅料的方法，本发明涉及区熔法(FZ法)晶体生长法。区熔(FZ)法指晶体生长的一种方法，又称悬浮区熔法，用来获取半导体如硅锗，砷化镓等的单晶。同其他晶体生长方法相比，区熔生长仅能使用西门子还原炉经过特殊工艺生产的柱状原料多晶硅，全球仅有有限的工厂提供极少产量的该种区熔多晶硅料，使得区熔方法未能如其他硅晶体生长方法一样得到普及。但是区熔法相较于其他晶体生长方法可以提供极低污染的硅单晶，在晶体质量上的优势无可比拟。本发明提供一种使用区域连续铸造法，